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Titel |
TI |
[DE] Verfahren und Anordnung zur Detektion von Röntgenstrahlung [EN] X-ray detecting method, involves absorbing dose of X-rays by crystal by measuring detected electrical time response, and determining ions following local change of crystal structure to cause detectable change of time response |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Technische Universität Dresden, 01069 Dresden, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Levin, Alexander, Dr., 01069 Dresden, DE
;
Meyer, Dirk, Dr. rer. nat., 01326 Dresden, DE
;
Ritter, Stephan, 01809 Heidenau, DE
;
Stöcker, Hartmut, 02763 Oberseifersdorf, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
27.06.2006 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006029777 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.01.2008 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
G01T 1/26
(2006.01)
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
G01T 1/02
(2006.01)
G01T 1/29
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
G01T 1/26
G01T 1/2928
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
G01T 1/26
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
G01T 1/02
(2006.01)
G01T 1/29
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Detektion von Röntgenstrahlung, bei dem ein Kristall (1) verwendet wird, dem durch Anlegen einer Gleichspannung (4) ein elektrisches Feld überlagert werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass während des Anliegens des elektrischen Feldes der Kristall (1) einer Röntgenexposition ausgesetzt wird, womit ein Transport der durch Absorption der Röntgenphotonen im Kristall (1) gebildeten Ionen im elektrischen Feld ermöglicht wird, die Ionen darauffolgend eine lokale Änderung der Kristallstruktur bedingen und damit eine erfassbare Änderung des elektrischen Leitverhaltens hervorgerufen und aus dem durch Messung erfassten elektrischen Leitverhalten auf die vom Kristall absorbierte Dosis der Röntgenstrahlung geschlossen wird. Eine Anordnung ist beschrieben. [EN] The method involves using a strontium titanate mono-crystal and overlying electrical field by applying a direct current voltage. The crystal of an x-ray position is exposed while concerning the electrical field. Ions in the electrical field are transported by absorbing x-ray photons in the crystal. The ions following a local change of crystal structure are determined to cause a detectable change of an electrical time response. The dose of X-rays is absorbed by the crystal by measuring the detected electrical time response. An independent claim is also included for an arrangement for detecting x-rays. |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
DE102005056829A1 US000004045674A US000006740885B2
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G01T 1/02
G01T 1/26
G01T 1/29
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