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Document DE102006013505B3 (Pages: 15)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Mit SiBN beschichtete Substrate und Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
[EN] CVD Coating process is carried out at atmospheric pressure and comprises contacting substrate with halogen-free boroorganic and silicon compounds and ammonia, after which it is tempered
71/73 Applicant/owner PA Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 München, DE
72 Inventor IN Goedel, Werner A., Prof. Dr., 89081 Ulm, DE ; Marx, Günter, Prof. Dr., 99448 Kranichfeld, DE ; Stöckel, Sabine, Dipl.-Chem., 09573 Augustusburg, DE
22/96 Application date AD Mar 23, 2006
21 Application number AN 102006013505
Country of application AC DE
Publication date PUB Oct 25, 2007
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM C23C 16/34 (2006.01)
51 IPC secondary class ICS D06M 11/58 (2006.01)
D06M 11/80 (2006.01)
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC C23C 16/0272
C23C 16/34
D06M 11/58
D06M 11/80
MCD main class MCM C23C 16/34 (2006.01)
MCD secondary class MCS D06M 11/58 (2006.01)
D06M 11/80 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Gasphasenabscheidung, bei dem in einer Reaktionskammer bei Atmosphärendruck und bei Temperaturen von 900 bis 1400°C auf den Substraten mindestens ein Silicium und Bornitrid enthaltendes Schichtsystem durch Inkontaktbringen des Substrates mit mindestens einer halogenfreien bororganischen Verbindung, mindestens einer halogenfreien Silicium-Verbindung und Ammoniak abgeschieden wird, und das beschichtete Substrat im Anschluss bei Temperaturen von 1000 bis 1600°C getempert wird. Ebenso betrifft die Erfindung ein derartig beschichtetes Substrat mit mindestens einer Gradientenschicht enthaltend Silicium, Bor und Stickstoff sowie einen Faserverbundwerkstoff, der eine keramische oder glaskeramische Matrix und ein beschichtetes Substrat in Form von Endlosfasern enthält.
[EN] CVD coating process for substrates is carried out in a reaction chamber at atmospheric pressure and 900 - 1400[deg]C. It comprises producing a silicon- and boron-containing coating by contacting the substrate with a halogen-free boroorganic and silicon compounds and ammonia, after which it is tempered at 1000 -1600[deg]C. Independent claims are included for: (A) Coated substrates produced by the process; and (B) use of continuous fibers produced using the method in composite materials with a ceramic matrix.
56 Cited documents identified in the search CT DE000019530404A1
DE000019931256A1
DE000019931257A1
DE000069515703T2
US000004990365A
US000005405982A
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
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Citing documents Determine documents
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Search file IPC ICP C23C 16/34
D06M 11/58
D06M 11/80