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Titel |
TI |
[DE] Mit SiBN beschichtete Substrate und Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
[EN] CVD Coating process is carried out at atmospheric pressure and comprises contacting substrate with halogen-free boroorganic and silicon compounds and ammonia, after which it is tempered |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 München, DE
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Erfinder |
IN |
Goedel, Werner A., Prof. Dr., 89081 Ulm, DE
;
Marx, Günter, Prof. Dr., 99448 Kranichfeld, DE
;
Stöckel, Sabine, Dipl.-Chem., 09573 Augustusburg, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
23.03.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006013505 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
25.10.2007 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
C23C 16/34
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
D06M 11/58
(2006.01)
D06M 11/80
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
C23C 16/0272
C23C 16/34
D06M 11/58
D06M 11/80
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
C23C 16/34
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
D06M 11/58
(2006.01)
D06M 11/80
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Gasphasenabscheidung, bei dem in einer Reaktionskammer bei Atmosphärendruck und bei Temperaturen von 900 bis 1400°C auf den Substraten mindestens ein Silicium und Bornitrid enthaltendes Schichtsystem durch Inkontaktbringen des Substrates mit mindestens einer halogenfreien bororganischen Verbindung, mindestens einer halogenfreien Silicium-Verbindung und Ammoniak abgeschieden wird, und das beschichtete Substrat im Anschluss bei Temperaturen von 1000 bis 1600°C getempert wird. Ebenso betrifft die Erfindung ein derartig beschichtetes Substrat mit mindestens einer Gradientenschicht enthaltend Silicium, Bor und Stickstoff sowie einen Faserverbundwerkstoff, der eine keramische oder glaskeramische Matrix und ein beschichtetes Substrat in Form von Endlosfasern enthält.
[EN] CVD coating process for substrates is carried out in a reaction chamber at atmospheric pressure and 900 - 1400[deg]C. It comprises producing a silicon- and boron-containing coating by contacting the substrate with a halogen-free boroorganic and silicon compounds and ammonia, after which it is tempered at 1000 -1600[deg]C. Independent claims are included for: (A) Coated substrates produced by the process; and (B) use of continuous fibers produced using the method in composite materials with a ceramic matrix. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000019530404A1
DE000019931256A1
DE000019931257A1
DE000069515703T2
US000004990365A
US000005405982A
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
C23C 16/34
D06M 11/58
D06M 11/80
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