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Document DE102006004405A1 (Pages: 23)

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Bibliographic data Document DE102006004405A1 (Pages: 23)
INID	Criterion	Field	Contents
54	Title	TI	[DE] Leistungshalbleiterbauelement mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone [EN] Power semiconductor component, e.g. power metal oxide semiconductor field effect transistor, has compensation zone including high dielectric material with temperature dependent dielectric constant, where constant varies in direction
71/73	Applicant/owner	PA	Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72	Inventor	IN	Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE ; R�b, Michael, Dr., Faak am See, AT
22/96	Application date	AD	Jan 31, 2006
21	Application number	AN	102006004405
	Country of application	AC	DE
	Publication date	PUB	Aug 30, 2007
33 31 32	Priority data	PRC PRN PRD
51	IPC main class	ICM	H01L 29/06 (2006.01)
51	IPC secondary class	ICS	H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
	IPC additional class	ICA
	IPC index class	ICI
	Cooperative patent classification	CPC	H01L 29/0611 H01L 29/0615 H01L 29/0634 H01L 29/0653 H01L 29/0696 H01L 29/407 H01L 29/408 H01L 29/41766 H01L 29/6634 H01L 29/66727 H01L 29/7396 H01L 29/7802 H01L 29/7813 H01L 29/7816 H01L 29/8083 H01L 29/872
	MCD main class	MCM	H01L 29/06 (2006.01)
	MCD secondary class	MCS	H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
	MCD additional class	MCA
57	Abstract	AB	[DE] Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: - einen Halbleiterk�rper (100) mit einer Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, - einen Bauelement�bergang zwischen der Driftzone (11) und einer weiteren Bauelementzone (12, 41), die derart ausgestaltet ist, dass sich bei Anlegen einer Sperrspannung an den Bauelement�bergang eine Raumladungszone in einer ersten Richtung in der Driftzone (11) ausbildet, - eine Kompensationzone (30), die in einer zweiten Richtung benachbart zu der Driftzone (11) angeordnet ist und die ein hochdielektrisches Material mit einer temperaturabh�ngigen Dielektrizit�tskonstante aufweist, dessen Temperaturabh�ngigkeit in der zweiten Richtung variiert. Die Erfindung betrifft au�erdem ein Verfahren zur Herstellung einer ein hochdielektrisches Material aufweisenden Kompensationszone. [EN] A component has a semiconductor body (100) with a drift zone (11) of power type. A component junction is formed between the drift zone and a component zone (12) such that a space charge zone is formed in a direction in the drift zone during supplying of the inverse voltage to the junction. A compensation zone (30) is arranged in another direction adjacent to the drift zone and includes a high dielectric material with a temperature dependent dielectric constant, where the temperature dependent constant varies in the latter direction. An independent claim is also included for the production of a power semiconductor component.
56	Cited documents identified in the search	CT	DE102004007197A1
56	Cited documents indicated by the applicant	CT
56	Cited non-patent literature identified in the search	CTNP
56	Cited non-patent literature indicated by the applicant	CTNP
	Citing documents		Determine documents
	Sequence listings
	Search file IPC	ICP	H01L 29/06 E H01L 29/40 H01L 29/739 H01L 29/78 H01L 29/808 H01L 29/812 H01L 29/872