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Document DE102005047056B3 (Pages: 32)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Leistungshalbleiterbauelement mit einer Feldelektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Feldelektrodenstruktur
[EN] Power semiconductor element and production process has field electrode structure with at least two first field electrodes and a second field electrode in a second direction with dielectric separation between them
71/73 Applicant/owner PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Inventor IN Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
22/96 Application date AD Sep 30, 2005
21 Application number AN 102005047056
Country of application AC DE
Publication date PUB Jan 18, 2007
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Priority data PRC
PRN
PRD


51 IPC main class ICM H01L 29/06 (2006.01)
51 IPC secondary class ICS H01L 21/329 (2006.01)
H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
H01L 29/861 (2006.01)
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC H01L 29/0634
H01L 29/1095
H01L 29/404
H01L 29/407
H01L 29/41766
H01L 29/66734
H01L 29/7802
H01L 29/7813
H01L 29/861
H01L 29/872
MCD main class MCM H01L 29/06 (2006.01)
MCD secondary class MCS H01L 21/329 (2006.01)
H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
H01L 29/861 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement mit einer Feldelektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Feldelektrodenstruktur. Das Leistungshalbleiterbauelement umfasst: DOLLAR A einen Halbleiterkörper (100) mit einer Driftzone (11) und einem Übergang (16) zwischen der Driftzone (11) und einer weiteren Bauelementzone (12; 72), die derart ausgestaltet ist, dass sich bei Anlegen einer Sperrspannung an den Übergang (16) eine Raumladungszone in einer ersten Richtung in der Driftzone (12) ausbildet, DOLLAR A eine Feldelektrodenstruktur (40), die in einer zweiten Richtung benachbart zu der Driftzone (11) angeordnet ist und die in dieser zweiten Richtung wenigstens abschnittsweise mittels einer ersten Dielektrikumsschicht (33) isoliert gegenüber der Driftzone (11) angeordnet ist, und die aufweist: DOLLAR A wenigstens zwei erste Feldelektroden (41), die in der ersten Richtung benachbart zueinander angeordnet sind, die durch wenigstens eine Dielektrikumsschicht (61) gegeneinander isoliert sind und die durch die erste Dielektrikumsschicht (33) von der Driftzone (11) getrennt sind, DOLLAR A wenigstens eine zweite Feldelektrode (42), die in der zweiten Richtung benachbart zu den wenigstens zwei ersten Feldelektroden (41) angeordnet ist, wobei die zweite Feldelektrode (42) in der ersten Richtung die wenigstens zwei ersten Feldelektroden (41) überlappt und mittels einer Dielektrikumsschicht (62) gegenüber den ersten Feldelektroden (41) isoliert ist.
[EN] A power semiconductor element comprises a semiconductor body (100) with a drift zone (11) and a transition (16) from this to a further component zone (12) that forms a space charge on applying a blocking voltage. There is a field electrode structure (40) comprising at least two adjacent first field electrodes (41) in a second direction isolated and separated from the drift zone and from one another by a dielectric (33,61) and at least one second field electrode (42) in a second direction neighboring and overlapping the first and isolated from it. Independent claims are also included for the following: (A) Production processes for a field electrode structure;and (B) A production process for a structured layer.
56 Cited documents identified in the search CT DE000010339455B3
DE000010339488B3
DE102004007197A1
US000004903189A
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US000006717230B2
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56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
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Search file IPC ICP H01L 21/329
H01L 21/336
H01L 29/06 E
H01L 29/861