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Titel |
TI |
[DE] Leistungs-MOS-Transistor mit einer SiC-Driftzone und Verfahren zur Herstellung eines Leistungs-MOS-Transistors |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Baumgartl, Johannes, Dr., Riegersdorf, AT
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
;
Treu, Michael, Dr., Villach, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.09.2005 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102005047054 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.04.2008 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/336
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/1095
H01L 29/1608
H01L 29/165
H01L 29/66068
H01L 29/66727
H01L 29/7802
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010130158A1
DE000019641839A1
US000006307232B1
US020040007715A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
Patent Abstract of Japan & JP 2003249652 A 0;
Patent Abstract of Japan: JP 2003-249 652 A n;
Yih, P.H. u.a.: SiC/Si Heterojunction Diodes Fabricated by Self-Selective and by Blanket Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition. In: IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 41, No. 3, 1994, S. 281-287 p 0
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/336 V
H01L 29/78
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