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Title |
TI |
[DE] Leistungs-MOS-Transistor mit einer SiC-Driftzone und Verfahren zur Herstellung eines Leistungs-MOS-Transistors
[EN] Power-metal oxide semiconductor transistor e.g. power-insulated gate bipolar transistor, for integrated circuit, has inversion channel characterized as channel region, formed in section of body region and arranged in one semiconductor layer |
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Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Inventor |
IN |
Baumgartl, Johannes, Dr., Riegersdorf, AT
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
;
Treu, Michael, Dr., Villach, AT
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Sep 30, 2005 |
| 21 |
Application number |
AN |
102005047054 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Apr 12, 2007 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/336
(2006.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/1095
H01L 29/1608
H01L 29/165
H01L 29/66068
H01L 29/66727
H01L 29/7802
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft einen Leistungs-MOS-Transistor, der aufweist: DOLLAR A - einen Halbleiterkörper (100) mit einer Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, einer Source-Zone (14) des ersten Leitungstyps und einer zwischen der Source-Zone (14) und der Driftzone (11) angeordnete Body-Zone (13) eines zweiten, zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps, DOLLAR A - eine Gate-Elektrode (23), die benachbart zu der Body-Zone (13) angeordnet und dielektrisch gegenüber der Body-Zone (13), der Source-Zone (14) und der Driftzone (11) isoliert ist, wobei DOLLAR A - der Halbleiterkörper (100) eine erste Halbleiterschicht (110) aus Siliziumcarbid (SiC) und eine zweite Halbleiterschicht (120) aus einem Halbleitermaterial mit einem anderen Bandabstand als Siliziumcarbid aufweist und wobei DOLLAR A - die Body-Zone (13) und die Source-Zone (14) wenigstens abschnittsweise in der zweiten Halbleiterschicht (120) angeordnet sind und die Driftzone (11) wenigstens abschnittsweise in der ersten Halbleiterschicht (110) angeordnet ist.
[EN] The transistor has a semiconductor body (100) with a body region (13) arranged between a source region (14) and a drift region (11). The body has a semiconductor layer (110) from silicon carbide and another semiconductor layer (120) from a semiconductor material with other band gap than silicon carbide. The body and source regions are arranged section-wise in the layer (120), where the drift region is section-wisely arranged in the layer (110). An inversion channel from silicon characterized as a channel region (15) is formed in a section of the body region and arranged in the layer (120). An independent claim is also included for a method of manufacturing a power-metal oxide semiconductor-transistor. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000010130158A1
DE000019641839A1
US000006307232B1
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/336 V
H01L 29/78
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