54 |
Title |
TI |
[DE] Leistungstransistor |
71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
|
72 |
Inventor |
IN |
Rüb, Michael, Dr. rer. nat., Faak am See, AT
;
Schmidt, Gerhard, Dr. rer. nat., Wernberg, AT
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22/96 |
Application date |
AD |
Sep 28, 2005 |
21 |
Application number |
AN |
102005046427 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Apr 5, 2007 |
33 31 32 |
Priority data |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/772
(2006.01)
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51 |
IPC secondary class |
ICS |
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
B82Y 10/00
H10D 30/43
H10D 30/63
H10D 62/111
H10D 62/118
H10D 62/121
H10D 62/122
H10D 64/661
H10D 64/671
H10D 84/811
H10K 10/466
H10K 85/225
Y10S 977/938
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/772
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
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MCD additional class |
MCA |
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57 |
Abstract |
AB |
[DE] Ein Leistungstransistor (30, 50) weist einen Sourcebereich (31), einen Drainbereich (32), einen Halbleiterkörper (33), der zwischen dem Sourcebereich (31) und dem Drainbereich (32) angeordnet ist, sowie mehrere parallel geschaltete Nanotubes (34), die den Halbleiterkörper (33) durchsetzen, gegenüber diesem elektrisch isoliert sind und den Sourcebereich (31) mit dem Drainbereich (32) elektrisch verbinden, auf. In dem Halbleiterkörper (33) sind eine oder mehrere Dioden (35) ausgebildet, die so ausgestaltet sind, dass entsprechende Potenzialverläufe, die im Dioden-Sperrfall innerhalb der Dioden (35) auftreten, als Gatepotenziale zum Schalten des Leistungstransistors (30, 50) dienen. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000010324752A1 DE102004003374A1 US000006891191B2
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56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 29/772
H01L 29/78
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