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Document DE102005046427A1 (Pages: 10)

Bibliographic data Document DE102005046427A1 (Pages: 10)
INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Leistungstransistor
71/73 Applicant/owner PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Inventor IN Rüb, Michael, Dr. rer. nat., Faak am See, AT ; Schmidt, Gerhard, Dr. rer. nat., Wernberg, AT
22/96 Application date AD Sep 28, 2005
21 Application number AN 102005046427
Country of application AC DE
Publication date PUB Apr 5, 2007
33
31
32
Priority data PRC
PRN
PRD


51 IPC main class ICM H01L 29/772 (2006.01)
51 IPC secondary class ICS
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC B82Y 10/00
H10D 30/43
H10D 30/63
H10D 62/111
H10D 62/118
H10D 62/121
H10D 62/122
H10D 64/661
H10D 64/671
H10D 84/811
H10K 10/466
H10K 85/225
Y10S 977/938
MCD main class MCM H01L 29/772 (2006.01)
MCD secondary class MCS
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Ein Leistungstransistor (30, 50) weist einen Sourcebereich (31), einen Drainbereich (32), einen Halbleiterkörper (33), der zwischen dem Sourcebereich (31) und dem Drainbereich (32) angeordnet ist, sowie mehrere parallel geschaltete Nanotubes (34), die den Halbleiterkörper (33) durchsetzen, gegenüber diesem elektrisch isoliert sind und den Sourcebereich (31) mit dem Drainbereich (32) elektrisch verbinden, auf. In dem Halbleiterkörper (33) sind eine oder mehrere Dioden (35) ausgebildet, die so ausgestaltet sind, dass entsprechende Potenzialverläufe, die im Dioden-Sperrfall innerhalb der Dioden (35) auftreten, als Gatepotenziale zum Schalten des Leistungstransistors (30, 50) dienen.
56 Cited documents identified in the search CT DE000010324752A1
DE102004003374A1
US000006891191B2
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
56 Cited non-patent literature indicated by the applicant CTNP
Citing documents Determine documents
Sequence listings
Search file IPC ICP H01L 29/772
H01L 29/78