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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Strukturieren von Kondensatorstrukturen in Halbleitergräben
[EN] Capacitor structure in semiconductor component trough structures, comprises conducting islands made of metallic and/or semiconducting materials and/or metal compounds |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE
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Erfinder |
IN |
RUEB MICHAEL, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
09.11.2004 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102004054352 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
16.02.2006 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/66181
H10B 12/0387
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H10B 12/00
(2023.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in einem Halbleitergebiet, mit den Schritten a) Erzeugen eines Grabens (2) in dem Halbleitergebiet (18), b) Füllen des Grabens mit einem Fotolack (19), c) Belichten des Fotolacks (19) mit Ionenstrahlen (20), d) Entwickeln des Fotolacks (19). DOLLAR A Für die Ionenstrahlen (20) werden Energiedichte und Ionendosis so gewählt, dass der Fotolack (19) nur in bestimmten Tiefen chemisch verändert wird, so dass sich zwei Bereiche ergeben, wobei in dem ersten Bereich (22) der Fotolack von den Ionenstrahlen (20) in den bestimmten Tiefen chemisch verändert wurde, und in dem zweiten Bereich der Fotolack chemisch unverändert ist, so dass beim Entwickeln in genau einem der beiden Bereiche der Fotolack entfernt wird.
[EN] A capacitor structure (3) in semiconductor component (1) trough structures (2) comprises conducting islands made of metallic and/or semiconducting materials and/or metal compounds. The conducting islands are stacked on top of one another at at least two opposing locations on the trough structures. The inner walls of the trough have an insulating coating (13). The regions between the islands are filled with insulating and dielectric material (15). |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US000006573558B2
US000006608350B2
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 29/06
H01L 29/78
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