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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements mit einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone und Leistungsbauelement |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669, München, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Lutz, Josef, Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Niedernostheide, Franz-Josef, Dr., 48157, Münster, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521, Ottobrunn, DE
;
Siemieniec, Ralf, Dr., 81737, München, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
12.08.2004 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102004039208 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
16.01.2014 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/265
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/22
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/263
H01L 21/26506
H01L 21/266
H01L 29/0878
H01L 29/66333
H01L 29/66712
H01L 29/7395
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 21/265
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/22
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements, das zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone (21) des Leistungsbauelements in einem Halbleiterkörper (100) folgende Verfahrensschritte aufweist: – Erzeugen einer Sauerstoffkonzentration wenigstens in dem zu dotierenden Bereich in dem Halbleiterkörper (100), – Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100) über eine Seite (101) mit nicht-dotierenden Teilchen mit einer Implantationsenergie zwischen 0,15 MeV und 20 MeV zur Erzeugung von Defekten in dem zu dotierenden Bereich, wobei die nicht-dotierenden Teilchen Heliumionen sind. – Durchführen eines Temperaturschrittes bei Temperaturen zwischen 380°C und 500°C zur Erzeugung thermischer Doppeldonatoren in dem zu dotierenden Bereich. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010055446A1
DE000010240107A1
DE000010245089A1
US000004379306A
US000006351024B1
US000006610572B1
US020030054641A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
AMMERLAAN,C.A.J.: Die physikalische Beschaffenheit von TDDen. IN: EMIS Datareviews Series. 1999, Vol. 20 (Properties of crystalline silicon), S. 663-668. ISBN: 0-85296-933-3 p 0;
Enisherlova, K. L. et al.: Silicon Structures for Power Electronics. In: Chemistry for Sustainable Development. 2001, Vol. 9, S. 11 ? 17. ? ISSN: 1817-1818 t;
WIDMANN, D.; MADER, H.; FRIEDRICH, H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen. 2. Auflage. Berlin [u.a.]: Springer, 1996 (Halbleiter-Elektronik 19). S. 42 - 43. ISBN: 3-540-59357-8. t;
WIDMANN,D., MADER,H., FRIEDRICH,H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen. 2. Aufl. Berlin (u.a.): Springer, 1996 (Halbleiterelektronik 19). S. 42-43. ISBN: 3-540-59357-8 p 0
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/22
H01L 21/265
H01L 21/336
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