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Document DE000019811965A1 (Pages: 4)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Verfahren und Vorrichtung zur photoinduzierten Kontrolle des anisotropen Ätzens von kristallinem Silizium
[EN] Three-dimensional crystalline silicon structures are produced e.g. for micromechanical sensors, actuators and light guide components
71/73 Applicant/owner PA Kötter, Christiane, 88213 Ravensburg, DE ; Mescheder, Ulrich, Prof. Dr., 78120 Furtwangen, DE
72 Inventor IN Kötter, Christiane, 88213 Ravensburg, DE ; Mescheder, Ulrich, Prof. Dr., 78120 Furtwangen, DE
22/96 Application date AD Mar 19, 1998
21 Application number AN 19811965
Country of application AC DE
Publication date PUB Sep 23, 1999
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM C30B 33/10
51 IPC secondary class ICS H01L 21/306
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC C30B 29/06
C30B 33/00
H01L 21/30608
MCD main class MCM
MCD secondary class MCS C30B 33/00 (2006.01)
H01L 21/306 (2006.01)
MCD additional class MCA B81C 1/00 (2006.01)
57 Abstract AB [DE] In der Anmeldung wird eine Vorrichtung und ein Verfahren beschrieben, das zur Herstellung mikromechanischer Elemente mit Hilfe eines elektrochemischen Ätzverfahrens dient, bei dem zur gezielten Strukturierung des einkristallinen Siliziums mit Lichtunterstützung gearbeitet wird. Die Dickeneinstellung der herzustellenden Si-Elemente (z. B. dünne Membranen für Drucksensoren) erfolgt durch eine ebenfalls auf optischen Prinzipien beruhende integrierte Meßvorrichtung.
[EN] Three-dimensional crystalline silicon structures are produced using an etchant while illuminating regions of the silicon surface. Preferred Features: Illumination is effected with visible light using masks and optics or movable light guides.
56 Cited documents identified in the search CT
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56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
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Search file IPC ICP C30B 33/10 E
H01L 21/306