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Document DE000019726766A1 (Pages: 8)

Bibliographic data Document DE000019726766A1 (Pages: 8)
INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Verfahren zur Schichtherstellung bzw. zur Kristallzüchtung
[EN] Controlled modification of layer production or crystal growth
71/73 Applicant/owner PA Meyer, Dirk, Dipl.-Phys., 01326 Dresden, DE
72 Inventor IN Meyer, Dirk, Dipl.-Phys., 01326 Dresden, DE
22/96 Application date AD Jun 24, 1997
21 Application number AN 19726766
Country of application AC DE
Publication date PUB Mar 26, 1998
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM H01L 21/205
51 IPC secondary class ICS C30B 25/18
H01L 21/263
H01L 21/322
H01L 33/00
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC C30B 25/105
MCD main class MCM
MCD secondary class MCS C30B 25/10 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Schichtherstellung bzw. zur Kristallzüchtung (einschließlich Rekristallisation, Ausheilung und andere auf die Erzielung einer bestimmten kristallographischen Struktur in Festkörpern ausgerichtete Reaktionen) für die Erlangung einer bestmöglichen kristallographischen Struktur der Produkte. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß bei der Schichtherstellung bzw. Kristallzüchtung auf der Grundlage bekannter Verfahren die Formierung der Schicht- bzw. Kristallstruktur durch eine Überlagerung stehender Röntgen-Wellenfelder, die in geeigneter Weise erzeugt und mit den in der Formierung befindlichen Schicht- bzw. Kristallbereichen in Wechselwirkung gebracht werden, beeinflußt wird. Dabei korrespondieren die örtlichen Energiedichteverteilungen dieser stehenden Röntgen-Wellenfelder mit den Parametern der gewünschten kristallographischen Struktur oder den Parametern von Schichtsystemen.
[EN] In a method of layer production or crystal growth (including recrystallisation, healing and other processes for achieving a certain crystallographic structure) to obtain the best possible crystallographic structure, layer or crystal formation is modified by superimposed stationary x-ray wave fields which interact with the layer or crystal regions, the local energy density distributions of these fields corresponding to the parameters of the desired crystallographic structure or of the layer systems.
56 Cited documents identified in the search CT EP000000507611A1
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP JP 05291152 A, In: Pat. Abstr. of Jp. n;
JP 63155612 A, In: Pat. Abstr. of Jp. n
56 Cited non-patent literature indicated by the applicant CTNP
Citing documents Determine documents
Sequence listings
Search file IPC ICP C30B 25/02 B
H01L 21/205
H01L 21/263
H01L 21/322
H01L 33/00 F1