Bibliografische Daten

Dokument DE000019726766A1 (Seiten: 8)

Bibliografische Daten Dokument DE000019726766A1 (Seiten: 8)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Schichtherstellung bzw. zur Kristallzüchtung
[EN] Controlled modification of layer production or crystal growth
71/73 Anmelder/Inhaber PA Meyer, Dirk, Dipl.-Phys., 01326 Dresden, DE
72 Erfinder IN Meyer, Dirk, Dipl.-Phys., 01326 Dresden, DE
22/96 Anmeldedatum AD 24.06.1997
21 Anmeldenummer AN 19726766
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 26.03.1998
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD

51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/205
51 IPC-Nebenklasse ICS C30B 25/18
H01L 21/263
H01L 21/322
H01L 33/00
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC C30B 25/105
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS C30B 25/10 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Schichtherstellung bzw. zur Kristallzüchtung (einschließlich Rekristallisation, Ausheilung und andere auf die Erzielung einer bestimmten kristallographischen Struktur in Festkörpern ausgerichtete Reaktionen) für die Erlangung einer bestmöglichen kristallographischen Struktur der Produkte. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß bei der Schichtherstellung bzw. Kristallzüchtung auf der Grundlage bekannter Verfahren die Formierung der Schicht- bzw. Kristallstruktur durch eine Überlagerung stehender Röntgen-Wellenfelder, die in geeigneter Weise erzeugt und mit den in der Formierung befindlichen Schicht- bzw. Kristallbereichen in Wechselwirkung gebracht werden, beeinflußt wird. Dabei korrespondieren die örtlichen Energiedichteverteilungen dieser stehenden Röntgen-Wellenfelder mit den Parametern der gewünschten kristallographischen Struktur oder den Parametern von Schichtsystemen.
[EN] In a method of layer production or crystal growth (including recrystallisation, healing and other processes for achieving a certain crystallographic structure) to obtain the best possible crystallographic structure, layer or crystal formation is modified by superimposed stationary x-ray wave fields which interact with the layer or crystal regions, the local energy density distributions of these fields corresponding to the parameters of the desired crystallographic structure or of the layer systems.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT EP000000507611A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP JP 05291152 A, In: Pat. Abstr. of Jp. n;
JP 63155612 A, In: Pat. Abstr. of Jp. n
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C30B 25/02 B
H01L 21/205
H01L 21/263
H01L 21/322
H01L 33/00 F1