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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Sinterkörpers auf der Basis von Siliciumcarbid |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Institut für neue Materialien gemeinnützige GmbH Universität des Saarlandes, 66123 Saarbrücken, DE
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Erfinder |
IN |
Aslan, Mesut, 66953 Pirmasens, DE
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Naß, Rüdiger, 66292 Riegelsberg, DE
;
Schmidt, Helmut, 66130 Saarbrücken, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
10.10.1995 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
19537714 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
17.04.1997 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
C04B 35/576
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
C01B 31/36
C04B 35/622
F01N 3/38
H05B 3/00
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
C04B 35/565
F01N 2330/14
F01N 3/022
H05B 3/148
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
C04B 35/626
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
C04B 35/565
(2006.01)
C04B 35/569
(2006.01)
C04B 35/628
(2006.01)
C04B 35/84
(2006.01)
H05B 3/14
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
F01N 3/022
(2006.01)
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Sinterkörpers auf der Basis von Siliciumcarbid, bei dem man$A (a) gegebenenfalls mit einem Oberflächenmodifizierungsmittel vorbehandelte Siliciumcarbid-Teilchen in einem wäßrigen und/oder organischen Medium dispergiert und durch Einstellen des pH-Wertes der erhaltenen Dispersion positive oder negative Oberflächenladungen auf den Siliciumcarbid-Teilchen erzeugt;$A (b) Ruß und Borcarbid als Sinteradditive zumischt, wobei zumindest die Ruß-Teilchen eine zur Oberflächenladung der Siliciumcarbid-Teilchen entgegengesetzte Oberflächenladung aufweisen und wobei das Borcarbid ganz oder teilweise auch zu einem späteren Zeitpunkt (Stufe (c')) zugegeben werden kann;$A (c) den so erhaltenen Schlicker direkt zu einem Glühkörper formt oder$A (c') aus dem so erhaltenen Schlicker ein Sinterpulver gewinnt und dieses zu einem Grünkörper formt, wobei das obige Borcarbid auch diesem Sinterpulver zugegeben werden kann;$A und$A (d) den erhaltenen Grünkörper drucklos zu einem Sinterkörper sintert,$A und das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Stufe (d) in im wesentlichen drei aufeinanderfolgenden Schritten, nämlich (i) Vorerhitzen auf 1200-1900°C, (ii) Sintern bei 1900-2200°C und (iii) Nachglühen bei 2150-1850°C und anschließendes Abkühlen auf Umgebungstemperatur, durchgeführt wird und der Schritt (i) in einer Stickstoff-haltigen Atmosphäre, der Schritt (ii) in eine Edelgas-Atmosphäre und der Schritt (iii) in einer Stickstoff- ...
[EN] The invention concerns a method of producing a conductive silicon carbide-based sintered compact in which: (a) silicon carbide particles optionally pretreated with a surface-modifying agent are dispersed in an aqueous and/or organic medium and positive or negative surface charges are generated on the silicon carbide particles by adjusting the pH of the resultant dispersion; (b) carbon black and boron carbide are added as sintering additives, at least the carbon black particles having an opposite surface charge to the surface charge of the silicon carbide particles, and it also being possible to add all or some of the boron carbide at a later point (stage (c')); (c) the resultant slip is shaped directly to form a green compact; or (c') a sintering powder is obtained from the resultant slip and is shaped to form a green compact, it also being possible to add the above boron carbide to this sintering powder; and (d) the resultant green compact is sintered without pressure to form a sintered body. The invention is characterized in that stage (d) is carried out in substantially three successive steps, namely (i) preheating to between 1200 and 1900 DEG C, (ii) sintering at between 1900 and 2200 DEG C and (iii) reannealing at between 2150 and 1850 DEG C and then cooling to ambient temperature, and step (i) being carried out in a nitrogenous atmosphere, step (ii) being carried out in a rare gas atmosphere and step (iii) being carried out in a nitrogenous and/or carbon monoxide-containing atmosphere. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
C01B 31/36
C04B 35/576
C04B 35/622
H05B 3/12
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