Bibliografische Daten

Dokument DE000010260286B4 (Seiten: 8)

Bibliografische Daten Dokument DE000010260286B4 (Seiten: 8)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verwendung eines Defekterzeugnungsverfahrens zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Niedernostheide, Franz-Josef, Dr., 48157 Münster, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE
22/96 Anmeldedatum AD 20.12.2002
21 Anmeldenummer AN 10260286
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 06.07.2006
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/322 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/324 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/263
H01L 21/26506
H01L 21/322
H01L 21/3242
H01L 29/0634
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/322 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/263 (2006.01)
H01L 21/265 (2006.01)
H01L 21/324 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010025567A1
DE000010245089A1
US000005877070A
US000006211041B1
US000006352909B1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/322
H01L 21/324