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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung von Feuchtesensoren
[EN] Production of moisture sensor made from porous silicon, for use in domestic appliances, in vehicles and in industry, involves using intermediate layer of single crystalline silicon between metal and porous silicon |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Bársony, István, Dr., Budapest, HU
;
Dücsö, Csaba, Dr., Budapest, HU
;
Fürjes, Péter, Budapest, HU
;
Kovacs, Andras, Dr., 78120 Furtwangen, DE
;
Mescheder, Ulrich, Prof. Dr., 78120 Furtwangen, DE
;
Mária, Adám, Budapest, HU
;
Müller, Bernhard, 78120 Furtwangen, DE
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Erfinder |
IN |
Adám, Mária, Budakeszi, HU
;
Bársony, István, Dr., Budapest, HU
;
Dücsö, Csaba, Dr., Budapest, HU
;
Fürjes, Péter, Dipl.-Ing., Csokvaomány, HU
;
Kovacs, Andras, Dr., 78120 Furtwangen, DE
;
Mescheder, Ulrich, Prof. Dr., 78120 Furtwangen, DE
;
Müller, Bernhard, Dipl.-Phys., 78052 Villingen-Schwenningen, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
13.09.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10242592 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
18.03.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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IPC-Hauptklasse |
ICM |
G01N 27/22
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
G01N 27/048
G01N 27/223
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
G01N 27/04
(2006.01)
G01N 27/22
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Feuchtesensoren aus porösem Silizium mit kapazitiver und resistiver Signalwandlung. Bei dem Verfahren wird eine Zwischenschicht aus einkristallinem Silizium zwischen Metall und porösem Silizium verwendet, die durch eine schwach n dotierte Diffusion hergestellt werden kann, welche bei der Bildung des porösen Siliziums unverändert bleibt (Ätzstop) und anschließend beliebig umdotiert werden kann. Weiterhin wird die Heizung zum Reaktivieren der sensitiven Schicht aus dem porösen Silizium direkt auf das poröse Silizium aufgebracht.
[EN] Production of a moisture sensor made from porous silicon involves using an intermediate layer of single crystalline silicon between the metal and porous silicon. The intermediate layer is produced by a weakly n-doped diffusion which remains unchanged during the formation of the porous silicon. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G01N 27/22 F
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