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Document DE000010239312A1 (Pages: 14)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone und einer Feldstroppzone und Halbleiterbauelement mit einer Driftzone und einer Feldstroppzone
[EN] Production of a semiconductor component e.g. IGBT with a drift and a field stop layer comprises preparing a semiconductor layer having a base doping and an exposed front side, and introducing doping atoms into a drift zone region
71/73 Applicant/owner PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Inventor IN Rüb, Michael, Dr., Faak a. See, AT ; Strack, Helmut, Dr., 80804 München, DE
22/96 Application date AD Aug 27, 2002
21 Application number AN 10239312
Country of application AC DE
Publication date PUB Mar 25, 2004
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM H01L 21/331
51 IPC secondary class ICS H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC H01L 21/26513
H01L 21/266
H01L 29/0834
H01L 29/66333
H01L 29/7395
H01L 29/861
MCD main class MCM
MCD secondary class MCS H01L 21/265 (2006.01)
H01L 21/266 (2006.01)
H01L 21/331 (2006.01)
H01L 29/08 (2006.01)
H01L 29/739 (2006.01)
H01L 29/861 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone eines ersten Leitungstyps und einer stärker als die Driftzone dotierten und sich an diese anschließende Feldstoppzone des ersten Leitungstyps, das folgende Verfahrensschritte aufweist: DOLLAR A - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Halbleiterschicht, die eine Grunddotierung des ersten Leitungstyps und eine freiliegende Vorderseite aufweist, DOLLAR A - Einbringen von Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps über die Vorderseite in einen Driftzonenbereich, der von der Vorderseite bis in eine vorgegebene Tiefe reicht, die geringer ist als eine Dicke der Halbleiterschicht. DOLLAR A Des weiteren betrifft die Erfindung ein mittels eines solchen Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement.
[EN] Production of semiconductor component with drift zone (23) of first conductivity connected to field stop layer (20) of first conductivity more strongly doped than drift zone comprises preparing semiconductor layer having base doping and exposed front side (101), and introducing dopants of second conductivity via front side into drift zone region from front side to prescribed depth which is lower than semiconductor layer thickness. Production of a semiconductor component with a drift zone (23) of a first conductivity and a field stop layer (20) of a first conductivity more strongly doped than the drift zone and connected to it comprises preparing a semiconductor layer having a base doping and an exposed front side (101), and introducing doping atoms of a second conductivity via the front side into a drift zone region which extends from the front side up to a prescribed depth which is lower than the thickness of the semiconductor layer. An Independent claim is also included for a semiconductor component produced by the above process.
56 Cited documents identified in the search CT
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
56 Cited non-patent literature indicated by the applicant CTNP
Citing documents Determine documents
Sequence listings
Search file IPC ICP H01L 21/331
H01L 29/739
H01L 29/78