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Titel |
TI |
[DE] Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Licht guter Strahlqualität aus Halbleiter-Laserchips |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Universität Potsdam, 14469 Potsdam, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Menzel, Ralf, Prof. Dr., 14469 Potsdam, DE
;
Raab, Volker, Dr., 14469 Potsdam, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
12.12.2001 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10161076 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
11.09.2003 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01S 5/14
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01S 3/0818
H01S 5/14
H01S 5/141
H01S 5/142
H01S 5/2036
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01S 5/022
(2006.01)
H01S 5/14
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung beschreibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von Licht guter Strahlqualität aus Halbleiter-Laserchips. DOLLAR A Aufgabe der Erfindung ist es, mit Halbleitern Laserlicht hoher Leistung und gleichzeitig guter Strahlqualität in einer einfachen, robusten, preiswerten und leicht zu justierenden Vorrichtung zu erzeugen. DOLLAR A Mit der Erfindung wurde gefunden, dass sich mit Halbleiterlasern eine gute Strahlqualität bei hohen Leistungen erzielen lässt, wenn der Halbleiterchip außer mit einer Zylinderlinse für die fast-axis nur noch mit einem einzigen Planspiegel für die Rückkopplung kombiniert wird, wobei der Spiegel spezielle Anforderung an Winkel und Abstand zu erfüllen hat. Es kann also auf weitere (längs slow-axis divergenzverändernde) Elemente, wie Linsen, Gitter, Spiegel, Phasenkonjugatoren und dergleichen, völlig verzichetet werden. DOLLAR A Basis der Erfindung ist die Kombination der Konzepte instabiler Laser-Resonatoren mit den Konzepten für Halbbleiterchips in externen Resonatoren.
[EN] In a device and method for generating laser radiation based on semiconductors, with which laser light of a high beam quality can be produced, the device producing laser radiation has a reflective element, which has no influence on the divergence of the light exiting the semiconductor and is placed at a distance from the semiconductor at which the arrangement forms an external unstable resonator, the divergent light exiting the semiconductor. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010043896A1
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 12, No. 6,Juni 2000, S. 615-617 p 0
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01S 5/14
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