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Bibliographic data Document DE000010156465C1 (Pages: 14)
INID	Criterion	Field	Contents
54	Title	TI	[DE] Waferanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung [EN] Bonded assembly of two wafers is formed using wafer recessed to make penetrations, and results in highly temperature-stable, detachable connection
71/73	Applicant/owner	PA	Infineon Technologies AG, 81669 M�nchen, DE
72	Inventor	IN	Pairitsch, Herbert, Klagenfurt, AT ; R�b, Michael, Dr., Faak, AT
22/96	Application date	AD	Nov 16, 2001
21	Application number	AN	10156465
	Country of application	AC	DE
	Publication date	PUB	Jul 10, 2003
33 31 32	Priority data	PRC PRN PRD
51	IPC main class	ICM	H01L 21/58
51	IPC secondary class	ICS
	IPC additional class	ICA
	IPC index class	ICI
	Cooperative patent classification	CPC	H01L 21/6835 H01L 21/6836 H01L 2221/68318 H01L 2221/68327 H01L 2221/68381
	MCD main class	MCM
	MCD secondary class	MCS	H01L 21/68 (2006.01)
	MCD additional class	MCA
57	Abstract	AB	[DE] Die Erfindung betrifft eine hochtemperaturstabile, wiederabl�sbare Waferanordnung mit einem ersten Wafer, in dessen erste Oberfl�che erste Ausnehmungen und in dessen zweite Oberfl�che zweite Ausnehmungen eingebracht sind, die jeweils zumindest teilweise Teil von durchgehenden Verbindungen zwischen der ersten und zweiten Oberfl�che des ersten Wafers sind, mit einem zweiten Wafer, mit einer temperaturstabilen, wiederabl�sbaren Bondverbindung, die mindestens eine zwischen dem ersten und dem zweiten Wafer angeordnete und diese voneinander beabstandende Schicht, insbesondere dielektrische Schicht, aufweist und die die erste Oberfl�che des ersten Wafers mit einer ersten Oberfl�che des zweiten Wafers durch Waferbonding verbindet. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Bondverbindung. [EN] The first and second surfaces (3, 4) of a first wafer (1) are recessed (2, 5) forming penetrations between them, over the entire first surface of the first wafer. A temperature-stable, detachable connection (21) is formed between them, with spacing layers (13-15) of dielectric, uniting the first surface of the first wafer with a first surface of the second wafer, by wafer-bonding connection. An Independent claim is included for a corresponding method of forming a detachable, highly-temperature stable bond between two wafers.
56	Cited documents identified in the search	CT	DE000010029035C1 DE000010029791A1 DE000010047963A1 DE000019842419A1 JP000S63168054A US000004962062A US000006127243A
56	Cited documents indicated by the applicant	CT
56	Cited non-patent literature identified in the search	CTNP
56	Cited non-patent literature indicated by the applicant	CTNP
	Citing documents		Determine documents
	Sequence listings
	Search file IPC	ICP	H01L 21/58 BB H01L 21/68