Bibliografische Daten

Dokument DE000010121181A1 (Seiten: 14)

Bibliografische Daten Dokument DE000010121181A1 (Seiten: 14)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Stencilmaske für Hoch- und Ultrahochenergieimplantation
[EN] Stencil mask used for high and ultra-high energy implantation of semiconductor wafers has implantation openings in a substrate through which the implantation energy is projected onto a wafer
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
22/96 Anmeldedatum AD 30.04.2001
21 Anmeldenummer AN 10121181
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 14.11.2002
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD

51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/266
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/266
Y10T 428/24273
Y10T 428/24322
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/266 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft eine Stencilmaske für Hoch- und Ultrahochenergieimplantation von Halbleiterwafern, wobei die Stencilmaske (1) in einem Substrat Implantationsöffnungen aufweist, durch die die Implantationsenergie auf einen zu implementierenden Wafer projizierbar ist und wobei das kritische Maß (CD) der Implantationsöffnungen (2) in Abhängigkeit von der jeweiligen Implantationsenergie definiert ist.
[EN] Stencil mask (1) has implantation openings (2) in a substrate through which the implantation energy is projected onto a wafer. The critical mass of the openings is defined depending on each implantation energy. An Independent claim is also included for a process for the production of the stencil mask comprising depositing or growing a first pre-structured oxide layer on the silicon side of a wafer, and trench etching the silicon layer. Preferred Features: The stencil mask is based on a SOI base material.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT EP000000399998B1
JP002001109136A
US000005770336A
US000005972794A
US000006187481B1
US000006214498B1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/266