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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und Sensorelement [EN] Manufacturing semiconductor sensor, especially a pressure or acceleration sensor using two single crystal semiconductors to reduce production costs and increase reliability |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Kolb, Stefan, 85716 Unterschleißheim, DE
;
Rüb, Michael, Faaker See, AT
;
Werner, Wolfgang, 81545 München, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
08.01.2001 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
10100438 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
18.07.2002 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
B81C 1/00
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
B81B 3/00
G01L 9/10
G01P 15/125
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
B81B 2201/0235
B81B 2201/0264
B81C 1/00047
G01L 9/0042
G01L 9/0073
G01P 15/0802
G01P 15/125
G01P 2015/0828
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
B81B 3/00
(2006.01)
G01L 9/00
(2006.01)
G01P 15/08
(2006.01)
G01P 15/125
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements, bei welchem nach dem Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) ein Hohlraum (2) in dem Halbleiterkörper (1) erzeugt wird und bei dem anschließend eine Isolationszone (30) zwischen einem den Hohlraum (2) teilweise umgebenden ersten Elektrodenbereich (14) und einem den Hohlraum (2) teilweise umgebenden zweiten Elektrodenbereich (12) des Halbleiterkörpers (1) hergestellt wird. Gegenstand der Erfindung ist des weiteren ein Sensorelement mit einer ersten und zweiten Elektrode (12, 14), wobei diese Elektrode (12, 14) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial desselben Halbleiterkörpers gebildet sind. [EN] A hollow (2) is produced in a semiconductor body (1). Insulation zones (30) are produced between first (14) and second (12) electrode zones that surround the hollow space. An Independent claim is made for a sensor element comprising two electrode zones each made from a single crystal semiconductor. |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010003066A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
BOSER, B.E. et.al.: Surface Micromachined Accele- rometers. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 31, No. 3, March 1996, pp. 366-375 0; KOVACS, G.T.A. et. a.: Micromachining of Silicon. In: Proceedings, IEEE, Vol. 86, No. 8, Aug. 1998, pp. 1536-51 0; MIN, YOUNG-HOON et. al.: Modeling, design, fabri- cation an measurement .... In: Sensors and Acti- ators 78(1999), pp. 8-17 0; SATO, TSUTOMU et. al.: A New Substrate Engineering for the formation of Empty Space in Silicon (ESS)... In: IEDM 99, pp. 517-520 0; WEIGOLD, J.W. et.al.: Fabrication of Thick Si Re- sonators with a Frontside Release Etch-Diffusion Process. In: Journal of Microelectromechemical Systems, Vol. 7, No. 2, June 1998, pp. 201-206 0
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
B81B 3/00
B81C 1/00 S
G01L 9/12
G01P 15/125
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