Bibliografische Daten

Dokument DE000010066053A1 (Seiten: 12)

Bibliografische Daten Dokument DE000010066053A1 (Seiten: 12)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Ahlers, Dirk, Dr., 80796 München, DE ; Cuadrón Marión, Miguel, 81543 München, DE ; Deboy, Gerald, Dr., 80538 München, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak, AT ; Stengl, Jens-Peer, 82284 Grafrath, DE ; Weber, Hans, Dr., 83404 Ainring, DE ; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 08.12.2000
21 Anmeldenummer AN 10066053
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 27.06.2002
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31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
10061310
20001208
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/06
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 29/739
H01L 29/78
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0619
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/7802
H01L 29/7811
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 29/10 (2006.01)
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung mit einer aktiven Struktur (AS) und einer Randstruktur (RS), die im wesentlichen ein intrinsisches Halbleitersubstrat aufweist.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/06 E
H01L 29/739
H01L 29/78