54 |
Title |
TI |
[DE] Hochtemperaturstoffsensor |
71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Dornier GmbH, 88039 Friedrichshafen, DE
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72 |
Inventor |
IN |
Birkhofer, Thomas, 88090 Immenstaad, DE
;
Maunz, Werner, 88677 Markdorf, DE
;
Moos, Ralf, Dr., 88048 Friedrichshafen, DE
;
Müller, Ralf, 88326 Aulendorf, DE
;
Müller, Willi, 88682 Salem, DE
;
Plog, Carsten, Dr., 88677 Markdorf, DE
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22/96 |
Application date |
AD |
Jun 30, 2000 |
21 |
Application number |
AN |
10031976 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Jan 17, 2002 |
33 31 32 |
Priority data |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC main class |
ICM |
G01N 27/22
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51 |
IPC secondary class |
ICS |
G01N 27/16
G01R 27/02
G01R 27/26
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
G01N 2027/222
G01N 27/226
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
G01N 27/22
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft eine Hochtemperaturstoffsensor, umfassend DOLLAR A - ein Substrat (4), DOLLAR A - eine Anordnung (6), um den Sensor auf Temperatur zu bringen und zu halten, DOLLAR A und DOLLAR A - eine schichtartige Kondensatorstruktur (38) mit Strukturgrößen kleiner als 50 mum, auf die eine Funktionsschicht (18) aufgebracht ist. DOLLAR A Erfindungsgemäß wurde die schichtartige Kondensatorstruktur (38) folgendermaßen erzeugt: DOLLAR A - Aufbringen einer geschlossenen oder bereits vorstrukturierten elektrisch leitfähigen Schicht als Vorläufer der Kondensatorstruktur (38) mittels Dickschichttechnik, DOLLAR A - Strukturierung der elektrisch leitfähigen Schicht mittels photolithographischem Verfahren. |
56 |
Cited documents identified in the search |
CT |
DE000003932880A1
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56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
G01N 27/16
G01N 27/22
G01R 27/02
G01R 27/26
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