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Titel |
TI |
[DE] In Schichttechnologie hergestellter Stoffsensor [EN] Electrical material sensor used for determining the concentration of a component in a gas mixture has an intermediate layer arranged between a sensor function layer and a structural element |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Dornier GmbH, 88039 Friedrichshafen, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Hürland, Armin, 88048 Friedrichshafen, DE
;
Moos, Ralf, Dr., 88048 Friedrichshafen, DE
;
Rettig, Frank, 78355 Hohenfels, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
22.04.2000 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
10019979 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
04.10.2001 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
G01N 27/04
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
G01R 27/02
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
G01N 27/12
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
G01N 27/12
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft einen in Schichttechnologie hergestellten Stoffsensor, bei dessen Herstellung ein Brennprozess durch laufen wird, umfassend eine Sensorfunktionsschicht (10), sowie ein weiteres strukturellles Element (2). Erfindungsgemäß befindet sich zwischen der Sensorfunktionsschicht (10) und dem weiteren strukturellen Element (2) eine Zwischenschicht (8), um bei dem Brennprozess Wechselwirkungen zwischen Sensorfunktionsschicht (10) und dem weiteren strukturellen Element (2) zu verhindern, wobei die Zwischenschicht (8) sowohl eine stoffliche Komponente der Funktionsschicht (10) als auch eine stoffliche Komponente des weiteren strukturellen Elements (2) enthält, und die Zwischenschicht (8) einen höheren elektrischen Widerstand aufweist als die Sensorfunktionsschicht (10). [EN] Electrical material sensor has an intermediate layer (8) arranged between a sensor function layer (10) and a structural element (2). The intermediate layer contains the material component of the function layer as well as the material component of the structural element. The intermediate layer has a higher electrical resistance than the sensor function layer. Preferred Features: The structural element is a substrate or an electrically insulating layer. The intermediate layer is 1-100 mu m thick. The substrate is made from Al2O3, MgO, ZrO2 or AlN. The sensor function layer is a doped or non-doped metal oxide, double metal oxide, multiple metal oxide, zeolite or ion-conducting oxide. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
DE000002334044A DE000003723051A1 DE000003841611A1 DE000019744316A1 DE000019927725A1 EP000000062994A2 EP000000191627A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
Sensors. A comprehensive Surrey. Chemical and Biochemical Sensors Part I., Hrsg.: W. GÖPEL et al VCH-Verlag Weinheim 1991, S. 341-428 p 0; Technisches Messen tm, Bd. 56, Nr. 6(1989), S. 260-263 p 0
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G01N 27/04
G01R 27/02
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