Bibliografische Daten

Dokument DE000010019979C1 (Seiten: 8)

Bibliografische Daten Dokument DE000010019979C1 (Seiten: 8)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] In Schichttechnologie hergestellter Stoffsensor
[EN] Electrical material sensor used for determining the concentration of a component in a gas mixture has an intermediate layer arranged between a sensor function layer and a structural element
71/73 Anmelder/Inhaber PA Dornier GmbH, 88039 Friedrichshafen, DE
72 Erfinder IN Hürland, Armin, 88048 Friedrichshafen, DE ; Moos, Ralf, Dr., 88048 Friedrichshafen, DE ; Rettig, Frank, 78355 Hohenfels, DE
22/96 Anmeldedatum AD 22.04.2000
21 Anmeldenummer AN 10019979
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 04.10.2001
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM G01N 27/04
51 IPC-Nebenklasse ICS G01R 27/02
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC G01N 27/12
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS G01N 27/12 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft einen in Schichttechnologie hergestellten Stoffsensor, bei dessen Herstellung ein Brennprozess durch laufen wird, umfassend eine Sensorfunktionsschicht (10), sowie ein weiteres strukturellles Element (2). Erfindungsgemäß befindet sich zwischen der Sensorfunktionsschicht (10) und dem weiteren strukturellen Element (2) eine Zwischenschicht (8), um bei dem Brennprozess Wechselwirkungen zwischen Sensorfunktionsschicht (10) und dem weiteren strukturellen Element (2) zu verhindern, wobei die Zwischenschicht (8) sowohl eine stoffliche Komponente der Funktionsschicht (10) als auch eine stoffliche Komponente des weiteren strukturellen Elements (2) enthält, und die Zwischenschicht (8) einen höheren elektrischen Widerstand aufweist als die Sensorfunktionsschicht (10).
[EN] Electrical material sensor has an intermediate layer (8) arranged between a sensor function layer (10) and a structural element (2). The intermediate layer contains the material component of the function layer as well as the material component of the structural element. The intermediate layer has a higher electrical resistance than the sensor function layer. Preferred Features: The structural element is a substrate or an electrically insulating layer. The intermediate layer is 1-100 mu m thick. The substrate is made from Al2O3, MgO, ZrO2 or AlN. The sensor function layer is a doped or non-doped metal oxide, double metal oxide, multiple metal oxide, zeolite or ion-conducting oxide.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000002334044A
DE000003723051A1
DE000003841611A1
DE000019744316A1
DE000019927725A1
EP000000062994A2
EP000000191627A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP Sensors. A comprehensive Surrey. Chemical and Biochemical Sensors Part I., Hrsg.: W. GÖPEL et al VCH-Verlag Weinheim 1991, S. 341-428 p 0;
Technisches Messen tm, Bd. 56, Nr. 6(1989), S. 260-263 p 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP G01N 27/04
G01R 27/02