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Titel |
TI |
[DE] Implantationsmaske für Hochenergieionenimplantation |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Lehmann, Volker, 80689 München, DE
;
Rüb, Michael, Villach, AT
;
Tihanyi, Jenö, 85551 Kirchheim, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
15.02.2000 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10006523 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
23.08.2001 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/266
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/266
H01L 29/0634
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/266
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft eine wiederverwendbare Implantationsmaske (5) aus vorzugsweise Silizium mit speziell strukturierten Gräben und Löchern (2 bzw. 3), die direkt oder im Abstand von einem Devicewafer (7) vorgesehen wird, sowie ein Verfahren zum Justieren einer Weiterbehandlungsebene auf einer Implantationsebene bei einem mit einer solchen Implantationsmaske behandelten Halbleiterwafer (7).
[EN] The invention relates to a re-usable implantation mask (5), preferably made of silicon, comprising specially structured trenches and holes(2 or 3), which is provided directly or at a distance from a device wafer (7). The invention also relates to a method for adjusting a further processing plane on an implantation plane in a semiconductor wafer (7) fitted with one such implementation mask. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000002454714B2
DE000003123949A1
DE000019835528A1
DE000019838263A1
DE000019910392A1
DE000069306473T2
EP000000078336B1
JP000S58106822A
US000004021276A
US000004256532A
US000004293374A
US000005156994A
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/266
H01L 21/58 DB
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