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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER SCHICHTSTRUKTUR |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
HILLIGER ANDREAS, DE
;
LEIBERG WOLFGANG, DE
;
MACHOLD HANS-JOACHIM, DE
;
PFUELLER ULRICH, DE
;
RAAB MICHAEL, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Jun 17, 1985 |
| 21 |
Application number |
AN |
27744485 |
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Country of application |
AC |
DD |
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Publication date |
PUB |
Feb 28, 1991 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/18
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/18
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Schichtstruktur, insbesondere aus hochdotiertem polykristallinem Silizium, bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem sehr hohen Integrationsgrad. Erfindungsgemaesz wird die Aufgabe beim Erzeugen von polykristallinen Siliziumschichstrukturen Maszabweichungen der geaetzten Strukturen sowie hohe Schichtwiderstaende zu vermeiden, um so eine hohe Ausbeute des Herstellungsprozesses von hochintegrierten Halbleiteranordnungen zu gewaehrleisten, dadurch geloest, dasz nach dem Strukturieren der undotiert auf einer auf einem Halbleitersubstrat befindlichen isolierenden Schicht aufgebrachten polykristallinen Siliziumschicht und dem Erzeugen der Source-Drain-Gebiete, die zur Strukturierung eingesetzte Photolackmaske entfernt wird und nach Erzeugen einer ersten Oxydationsschicht und deren UEberaetzung die polykristalline Siliziumstruktur durch eine Diffusion dotiert und nach einer erneuten UEberaetzung mit einer zweiten Oxydationsschicht bedeckt wird. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/18
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