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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR ANSCHLUSSERZEUGUNG VON BEGRABENEN GEBIETEN |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
DRESDEN MIKROELEKTRONIK, DD
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| 72 |
Inventor |
IN |
FEUDEL THOMAS, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Sep 21, 1988 |
| 21 |
Application number |
AN |
32000588 |
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Country of application |
AC |
DD |
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Publication date |
PUB |
Jan 31, 1990 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/265
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Anschlusserzeugung von begrabenen Gebieten bei der Herstellung von mikroelektronischen Halbleiterbauelementen in MOS- und/oder Bipolar-Technologie. Das erfindungsgemaesse Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass zur Anschlusserzeugung eine Grabenaetzung durch ein anisotropes Aetzverfahren durch die Epitaxialschicht, die die begrabenen Gebiete bedeckt, bis zu dem begrabenen Gebiet ausgefuehrt und anschliessend eine in-situ hochdotierte polykristalline Siliziumschicht, die den Graben vollstaendig ausfuellt, aufgebracht wird. |
| 56 |
Cited documents identified in the search |
CT |
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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No results
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/265
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