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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
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| 72 |
Inventor |
IN |
LEIBERG WOLFGANG, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Mar 2, 1984 |
| 21 |
Application number |
AN |
26050984 |
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Country of application |
AC |
DD |
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Publication date |
PUB |
Sep 27, 1989 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/316
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/324
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/316
(2006.01)
H01L 21/324
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf einem Siliziumsubstrat, insbesondere in einer Silicon-Gate-Technik. Durch stabile technologische Parameter, wie Strukturbreiten, Dotierungsprofile usw., soll eine Erhoehung der Ausbeute bei Verfahren, bei denen durch thermische Vorbehandlung eine defektfreie oberflaechennahe Substratschicht erzeugt wird, erzielt werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemaesse dadurch geloest, dass die durch die Vorbehandlung gebildete Siliziumdioxidschicht entfernt wird und nach einer Reinigung der Substratoberflaeche wieder eine Siliziumdioxidschicht durch thermische Oxidation in Sauerstoffatmosphaere erzeugt wird. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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US000005249917A
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/316
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