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Document DD000000245301A1 (Pages: 3)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRANSISTOREN MIT KURZEN KANALLAENGEN
71/73 Applicant/owner PA MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
72 Inventor IN PFUELLER ULRICH, DD ; RAAB MICHAEL, DD
22/96 Application date AD Dec 23, 1985
21 Application number AN 28527185
Country of application AC DD
Publication date PUB Apr 29, 1987
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM H01L 21/316
51 IPC secondary class ICS H01L 29/78
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC
MCD main class MCM
MCD secondary class MCS H01L 21/316 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit kurzen Kanallaengen bei der Fertigung von mikroelektronischen Halbleiteranordnungen mit einem sehr hohen Integrationsgrad. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch Vermeidung einer grossen Unterdiffusion der Source-Drain-Gebiete Halbleiteranordnungen mit stabilen elektrischen Eigenschaften zu erzeugen und somit die Ausbeute des Herstellungsprozesses zu erhoehen. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass nach dem mit Photolackmaske erfolgenden Einbringen der Source-Drain-Gebiete mittels Ionenimplantation eine ganzflaechige Oxydation durchgefuehrt und anschliessend durch eine nasschemische Ueberaetzung die Oberflaeche der polykristallinen Siliziumschicht (Gates) freigelegt wird, dass im Anschluss daran eine undotierte Siliziumdioxidschicht und danach eine Phosphorsilikatglasschicht abgeschieden wird.
56 Cited documents identified in the search CT
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56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
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Search file IPC ICP H01L 21/316