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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR AUF EINEM HALBLEITERSUBSTRAT |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
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| 72 |
Erfinder |
IN |
DOSE UWE, DD
;
HUERRICH ARND, DD
;
LEIBERG WOLFGANG, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
05.09.1984 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
26698984 |
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Anmeldeland |
AC |
DD |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
18.12.1985 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/26
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/205
H01L 21/31
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/205
(2006.01)
H01L 21/26
(2006.01)
H01L 21/31
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur auf einem Halbleitersubstrat bei der Fertigung unipolarer und bipolarer, analoger und digitaler integrierter Halbleiterbauelemente. Ziel und Aufgabe der Erfindung ist es, die Herstellung der Schichtstruktur auf einfache Weise mit niedriger Defektanfaelligkeit und hoher Ausbeute in einem Arbeitsgang zu ermoeglichen. Erfindungsgemaess wird das dadurch erreicht, dass die Halbleitersubstratoberflaeche in einem Reaktionsraum, in dem sich ein Reaktionsgasgemisch befindet mit einem in seiner Intensitaet modulierbaren konvergenten Energiestrahl entsprechend der zu gestaltenden Struktur lokal bestrahlt und beschichtet wird. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/22
H01L 21/26
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