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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR AUF EINEM HALBLEITERSUBSTRAT |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
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| 72 |
Inventor |
IN |
DOSE UWE, DD
;
HUERRICH ARND, DD
;
LEIBERG WOLFGANG, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Sep 5, 1984 |
| 21 |
Application number |
AN |
26698984 |
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Country of application |
AC |
DD |
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Publication date |
PUB |
Dec 18, 1985 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/26
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/205
H01L 21/31
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/205
(2006.01)
H01L 21/26
(2006.01)
H01L 21/31
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur auf einem Halbleitersubstrat bei der Fertigung unipolarer und bipolarer, analoger und digitaler integrierter Halbleiterbauelemente. Ziel und Aufgabe der Erfindung ist es, die Herstellung der Schichtstruktur auf einfache Weise mit niedriger Defektanfaelligkeit und hoher Ausbeute in einem Arbeitsgang zu ermoeglichen. Erfindungsgemaess wird das dadurch erreicht, dass die Halbleitersubstratoberflaeche in einem Reaktionsraum, in dem sich ein Reaktionsgasgemisch befindet mit einem in seiner Intensitaet modulierbaren konvergenten Energiestrahl entsprechend der zu gestaltenden Struktur lokal bestrahlt und beschichtet wird. |
| 56 |
Cited documents identified in the search |
CT |
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| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/22
H01L 21/26
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