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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BEREICHSWEISE UNTERSCHIEDLICH DICKEN DECKSCHICHTEN AUF FESTKOERPERN |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
ZFT MIKROELEKTRONIK DRESDEN VE, DD
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| 72 |
Inventor |
IN |
BOSIEN WOLFHARDT, DD
;
GERISCH DIETBERT, DD
;
HILLIGER ANDREAS, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
;
STEGEMANN KARL-HEINZ, DD
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Apr 2, 1982 |
| 21 |
Application number |
AN |
23868282 |
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Country of application |
AC |
DD |
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Publication date |
PUB |
Dec 21, 1983 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/283
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/265
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
H01L 21/283
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Verfahren zur Getterung unerwuenschter Dotanten bei der Diffusionsdotierung von Halbleiterscheiben mit grossen Eindringtiefen, insbesondere zur Herstellung von Hochspannungstransistoren. Ziel der Erfindung ist es, die Stabilitaet dieser Bauelemente zu erhoehen. Die Erfindung loest die Aufgabe, die Getterung schnelldiffundierender unerwuenschter Stoerstoffe zu verbessern, indem ein System von azimutal orientierten Ritzlinien auf der geaetzten Scheibenrueckseite erzeugt wird und die nachfolgende Eindiffusion eines Dotanten bis in eine Tiefe erfolgt, die groesser ist als die Tiefe der erzeugten Kristallstoerungen. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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No results
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/265
H01L 29/423
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