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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BEREICHSWEISE UNTERSCHIEDLICH DICKEN DECKSCHICHTEN AUF FESTKOERPERN |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
ZFT MIKROELEKTRONIK DRESDEN VE, DD
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Erfinder |
IN |
BOSIEN WOLFHARDT, DD
;
GERISCH DIETBERT, DD
;
HILLIGER ANDREAS, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
;
STEGEMANN KARL-HEINZ, DD
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
02.04.1982 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
23868282 |
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Anmeldeland |
AC |
DD |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
21.12.1983 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/283
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/265
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
H01L 21/283
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Verfahren zur Getterung unerwuenschter Dotanten bei der Diffusionsdotierung von Halbleiterscheiben mit grossen Eindringtiefen, insbesondere zur Herstellung von Hochspannungstransistoren. Ziel der Erfindung ist es, die Stabilitaet dieser Bauelemente zu erhoehen. Die Erfindung loest die Aufgabe, die Getterung schnelldiffundierender unerwuenschter Stoerstoffe zu verbessern, indem ein System von azimutal orientierten Ritzlinien auf der geaetzten Scheibenrueckseite erzeugt wird und die nachfolgende Eindiffusion eines Dotanten bis in eine Tiefe erfolgt, die groesser ist als die Tiefe der erzeugten Kristallstoerungen. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/265
H01L 29/423
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