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Title |
TI |
[DE] Leistungshalbleitervorrichtung mit verbesserter Stabilität und Verfahren zur Herstellung derselben |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Pertermann, Eric, 09126, Chemnitz, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Dec 15, 2014 |
| 21 |
Application number |
AN |
102014118664 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Feb 13, 2020 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/739
(2006.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/33
(2006.01)
H01L 27/07
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/88
(2006.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 27/0255
H01L 29/0688
H01L 29/0696
H01L 29/0834
H01L 29/66121
H01L 29/66151
H01L 29/7395
H01L 29/7397
H01L 29/861
H01L 29/87
H01L 29/88
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/33
(2006.01)
H01L 27/07
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/88
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:einen ersten Kontakt (4),einen zweiten Kontakt (14),ein Halbleitervolumen (100), welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist, welches umfasst:- eine n-dotierte Feldstoppschicht (30), um ein elektrisches Feld, das im Halbleitervolumen (100) während des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung (1) ausgebildet wird, räumlich zu begrenzen,- eine stark p-dotierte Zone (40) und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone (50), welche gemeinsam eine Tunneldiode (45) ausbilden, wobei die Tunneldiode wie folgt angeordnet ist: in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht (30),wobei die Tunneldiode (45) dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
US020140334212A1
WO002012046329A1
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| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
Jiang, H. et al.: Band-to-Band Tunneling Injection Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Soft Reverse-Recovery Built-In Diode. In: IEEE Electron Device Letters, 33, 2012, 12, 1684. p 0
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 27/07
H01L 29/78
H01L 29/88
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