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Title |
TI |
[DE] Bipolares Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode |
71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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72 |
Inventor |
IN |
Baburske, Roman, 09112, Chemnitz, DE
;
Lutz, Josef, 09126, Chemnitz, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, 82024, Taufkirchen, DE
;
Siemieniec, Ralf, Villach, AT
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22/96 |
Application date |
AD |
Sep 30, 2009 |
21 |
Application number |
AN |
102009047808 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Jan 25, 2018 |
33 31 32 |
Priority data |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/861
(2006.01)
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51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/329
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 29/0623
H01L 29/66136
H01L 29/73
H01L 29/861
H01L 29/8611
H01L 2924/0002
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/861
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/329
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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57 |
Abstract |
AB |
[DE] Bipolares Halbleiterbauelement (100), aufweisend: – einen Halbleiterkörper (20) mit einer ersten horizontalen Oberfläche (15), einer zur ersten Oberfläche (15) parallel verlaufenden zweiten Oberfläche (16) und mindestens einem Last-pn-Übergang (11), wobei eine Sperrichtung des Last-pn-Übergangs mit einer Sperrichtung des bipolaren Halbleiterbauelements (100) übereinstimmt; – eine auf der ersten Oberfläche (15) angeordnete erste Metallisierung (8), welche eine Anodenmetallisierung (8) bildet; – eine auf der zweiten Oberfläche (16) angeordnete zweite Metallisierung (9), welche eine Kathodenmetallisierung (9) bildet; und – eine Anodenstruktur mit mindestens einem ohmschen Strompfad von der ersten Metallisierung (8) zur zweiten Metallisierung (9), der im Halbleiterkörper (20) nur durch n-dotierte Gebiete verläuft, wobei das bipolare Halbleiterbauelement einen dynamischen Anodenemitterwirkungsgrad aufweist. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000010361136B4 DE102004053761A1 DE102008023471A1 EP000001515372A1 JP002007281231A US000004641174A
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56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/329
H01L 29/06
H01L 29/861
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