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Title |
TI |
[DE] Laterales Kompensationshalbleiterbauteil mit gekoppelten Kompensationszellen und Verfahren zu seiner Herstellung
[EN] Lateral compensation semiconductor component for use as high voltage transistor, has coupling layers for connection of compensation cells with each other, where layers are of p-type conduction and are in connection with source region |
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Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak am See, AT
;
Schmitt, Markus, Dipl.-Phys., 81373 München, DE
;
Tolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys., 82327 Tutzing, DE
;
Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE
;
Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Sep 26, 2005 |
| 21 |
Application number |
AN |
102005046007 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Apr 12, 2007 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 29/06
(2006.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/0692
H01L 29/1083
H01L 29/7816
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein laterales Kompensationshalbleiterbauteil (1) mit gekoppelten Kompensationszellen (18) und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Dazu weist das laterale Kompensationshalbleiterbauteil (1) ein Driftgebiet (19) auf, das die Kompensationszellen (18) umgibt und zwischen einem Sourcegebiet (20) und einem Draingebiet (19) in einem Halbleiterkörper (22) angeordnet ist. Dabei ist das Driftgebiet (21) mit den Kompensationszellen (18) auf einem Substrat (23) gleichen Leitungstyps wie die Kompensationszellen (18) angeordnet. Das Substrat (23) steht elektrisch mit dem Sourcegebiet (20) in Verbindung, wobei zur elektrischen Kopplung der hochdotierten Kompensationszellen (18) untereinander Kopplungsschichten (24) oder Kopplungsstrukturen gleichen Leitungstyps wie die Kompensationszellen (18) in dem lateralen Kompensationshalbleiterbauteil (1) angeordnet sind und mit dem Sourcegebiet (20) elektrisch in Verbindung stehen.
[EN] The component (1) has highly doped compensation cells (18) of p-type conduction. A drift zone (21) with complementary n-type conduction is provided, and a substrate (23) is in connection with a source region (20). Coupling layers or coupling structures are provided for electrical connection of the compensation cells with each other. The coupling layers are of p-type conduction and are in electrical connection with the source region. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000010052007C1
DE000010052170C2
DE000019828191C1
EP000000114435B1
EP000001073123A2
JP002000286417A
US000006528849B1
US020030193067A1
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 29/06 E
H01L 29/78
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