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Title |
TI |
[DE] Lateraler MISFET und Verfahren zur Herstellung desselben
[EN] Lateral MISFET has semiconductor body of doped semiconductor substrate of first conductivity type and on semiconductor substrate epitaxial layer is provided to first conductivity type complementing second conductivity type |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Inventor |
IN |
Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak am See, AT
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Schmitt, Markus, Dipl.-Phys., 85630 Grasbrunn, DE
;
Tolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys., 82327 Tutzing, DE
;
Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE
;
Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Mar 15, 2005 |
| 21 |
Application number |
AN |
102005012217 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Sep 21, 2006 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 29/0619
H01L 29/0696
H01L 29/782
H01L 29/7825
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft einen lateralen MISFET mit einem Halbleiterkörper (3) aus einem dotierten Halbleitersubstrat (4) eines ersten Leitungstyps und aus einer auf dem Halbleitersubstrat (4) vorgesehenen Epitaxieschicht (5) eines zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps. Dieser MISFET weist auf der Oberseite des Halbleiterkörpers (3) eine Drainelektrode (6), eine Sourceelektrode (7), eine Gateelektrode (8) mit Gateisolator (9) auf. An den Gateisolator angrenzend ist in der Epitaxieschicht (5) eine Halbleiterzone (10) des ersten Leitungstyps eingebettet, wobei zwischen der Halbleiterzone (10) und der Drainelektrode (6) eine Driftzone (11) des zweiten Leitungstyps in der Epitaxieschicht (5) angeordnet ist. Diese Driftzone (11) weist in Zeilen und Spalten angeordnete säulenförmige Gebiete (14) auf, deren Grenzschichten (15) eine Metallschicht (16) aufweisen, die zu dem Material der Driftzone (11) jeweils einen Schottky-Kontakt (17) bilden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des lateralen MISFETs.
[EN] Lateral MISFET has semiconductor body (3) of a doped semiconductor substrate (4) of first conductivity type. On the semiconductor substrate an epitaxial layer (5) is provided to first conductivity type complementing second conductivity type. Lateral MISFET has a drain electrode (6), source electrode (7), gate electrode (8) with a gate isolator (9). A semiconductor region (10) of the first conductivity type is provided adjacent to gate isolator and embedded in the epitaxial layer. A drift zone (11) of the second conductivity type is arranged in the epitaxial layer between the source electrode and the drain electrode. In the arranged rows and columns, a cloumn-shaped region (14) is arranged. The boundary layers (15) exhibit a material layer (16) in drift zone, which in each case exhibits a schottky contact (17) at the material of the drift zone. An independent claim is also included for the method for producing lateral MISFET. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000019828191C1
EP000000201945B1
US020040222461A1
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/336
H01L 29/00
H01L 29/06 E
H01L 29/78
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