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Title |
TI |
[DE] Lateraler Trenchtransistor sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579 Neubiberg, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE
;
Meyer, Thorsten, Dr., 81545 München, DE
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
;
Schmitt, Markus, 81373 München, DE
;
Schäffer, Carsten, Sattendorf, AT
;
Tolksdorf, Carolin, 82327 Tutzing, DE
;
Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE
;
Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Oct 29, 2004 |
| 21 |
Application number |
AN |
102004063991 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
May 8, 2008 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
DE
102004052643
20041029
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/336
(2006.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 29/78
(2006.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 21/26586
H01L 29/0696
H01L 29/1045
H01L 29/1095
H01L 29/41758
H01L 29/4236
H01L 29/42368
H01L 29/66666
H01L 29/66689
H01L 29/66704
H01L 29/78
H01L 29/7825
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MCD main class |
MCM |
H01L 21/336
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Ein Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleitergebieten (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200) beinhaltet die folgenden Schritte: - Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper, - Einbringen von Dotierstoffen in wenigstens einen an den Trench angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers (2), indem Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse ausgeführt werden, derart, dass während dieser Prozesse entsprechende Dotierstoffe durch die Innenwände des Trenchs (6, 20, 21) in den wenigstens einen Bereich eintreten, wobei der Trench (20, 21) kein Gatetrench (6) ist, jedoch so von einem Gatetrench (6) beabstandet ist, dass das Eindringen der Dotierstoffe in den Halbleiterkörper, die zur Ausbildung der Source- und Bodygebiete dienen, beziehungsweise das anschließende Ausdiffundieren dieser Dotierstoffe die Erzeugung von MOS-Strukturen an zumindest einem Teil der Außenwände des Gatetrenchs bewirkt. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000019743342C2
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| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/10
H01L 29/417
H01L 29/423
H01L 29/739
H01L 29/78
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