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Title |
TI |
[DE] Lichtstarke, kompakte in-situ Raman-Sonde
[EN] Raman probe for measuring the Raman effect in solid bodies and during semiconductor crystal growth processes has coupling prisms, compound lenses and a narrow band pass filter arranged between the last two compound lenses |
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Applicant/owner |
PA |
Solarion GmbH, 04288 Leipzig, DE
;
Universität Leipzig, 04109 Leipzig, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Bundesmann, Carsten, 04317 Leipzig, DE
;
Lippold, Gerd, Dr., 04416 Markkleeberg, DE
;
Schubert, Mathias, Dr., 04317 Leipzig, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Feb 10, 2004 |
| 21 |
Application number |
AN |
102004006391 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Sep 1, 2005 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
G01J 3/44
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
G01N 21/31
G01N 21/65
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
G01J 3/44
G01N 2021/6478
G01N 21/6489
G01N 21/65
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
G01J 3/44
(2006.01)
G01N 21/31
(2006.01)
G01N 21/65
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft eine Sonde zur Messung des Raman-Effekts, insbesondere zur Messung des Raman-Effekts an Festkörpern und bei Halbleiterzüchtungsprozessen. Die Sonde soll ein hohes Signal/Rausch-Verhältnis, einen kompakten Aufbau und einen erweiterten Messbereich für Wellenzahlverschiebungen bis minimal 50 cm·-1· aufweisen. Dadurch sollen Probensignale, deren spektraler Abstand zur Anregungslaserwellenlänge minimal 50 cm·-1· beträgt, detektiert werden können. Die Messeinheit der Sonde besteht aus vier abbildungsfehlerkorrigierten Verbundlinsen, drei davon mit positiver Brennweite und eine mit negativer Brennweite, dergestalt, dass das von der Probe kommende Licht durch die erste positive Verbundlinse (5) gesammelt, durch die zweite positive Verbundlinse (7) fokussiert, durch die negative Verbundlinse (8) Abbildungsfehler der beiden vorher genannten Verbundlinsen korrigiert, die Gesamtlänge reduziert und das Streulicht gebündelt und von der vierten positiven Verbundlinse (10) auf den Eingang einer Lichtleitfaser zur Weiterleitung an die Auswerteeinheit fokussiert wird. Zwischen der dritten und vierten Verbundlinse (8, 10) ist ein Schmalbandfilter angeordnet.
[EN] Raman probe for measuring the Raman effect in solid bodies and during semiconductor crystal growth processes comprises a laser light source and measurement and evaluation units. Two prisms (2, 3) are provided to couple the laser light from a sample (4) into the measurement optical system. The measurement unit comprises four aberration correcting compound lenses (5, 7, 8, 10), three having a positive focal length and one a negative. Finally a narrow band pass filter (9) is mounted between the third and fourth compound lenses. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000004005878C2
DE000069213789T2
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
G01J 3/44
G01N 21/31
G01N 21/65
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