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Document DE000010161076A1 (Pages: 6)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Licht guter Strahlqualität aus Halbleiter-Laserchips
71/73 Applicant/owner PA Universität Potsdam, 14469 Potsdam, DE
72 Inventor IN Menzel, Ralf, Prof. Dr., 14469 Potsdam, DE ; Raab, Volker, Dr., 14469 Potsdam, DE
22/96 Application date AD Dec 12, 2001
21 Application number AN 10161076
Country of application AC DE
Publication date PUB Sep 11, 2003
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM H01S 5/14
51 IPC secondary class ICS
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC H01S 3/0818
H01S 5/14
H01S 5/141
H01S 5/142
H01S 5/2036
MCD main class MCM
MCD secondary class MCS H01S 5/022 (2006.01)
H01S 5/14 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die Erfindung beschreibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von Licht guter Strahlqualität aus Halbleiter-Laserchips. DOLLAR A Aufgabe der Erfindung ist es, mit Halbleitern Laserlicht hoher Leistung und gleichzeitig guter Strahlqualität in einer einfachen, robusten, preiswerten und leicht zu justierenden Vorrichtung zu erzeugen. DOLLAR A Mit der Erfindung wurde gefunden, dass sich mit Halbleiterlasern eine gute Strahlqualität bei hohen Leistungen erzielen lässt, wenn der Halbleiterchip außer mit einer Zylinderlinse für die fast-axis nur noch mit einem einzigen Planspiegel für die Rückkopplung kombiniert wird, wobei der Spiegel spezielle Anforderung an Winkel und Abstand zu erfüllen hat. Es kann also auf weitere (längs slow-axis divergenzverändernde) Elemente, wie Linsen, Gitter, Spiegel, Phasenkonjugatoren und dergleichen, völlig verzichetet werden. DOLLAR A Basis der Erfindung ist die Kombination der Konzepte instabiler Laser-Resonatoren mit den Konzepten für Halbbleiterchips in externen Resonatoren.
[EN] In a device and method for generating laser radiation based on semiconductors, with which laser light of a high beam quality can be produced, the device producing laser radiation has a reflective element, which has no influence on the divergence of the light exiting the semiconductor and is placed at a distance from the semiconductor at which the arrangement forms an external unstable resonator, the divergent light exiting the semiconductor.
56 Cited documents identified in the search CT DE000010043896A1
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 12, No. 6,Juni 2000, S. 615-617 p 0
56 Cited non-patent literature indicated by the applicant CTNP
Citing documents Determine documents
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Search file IPC ICP H01S 5/14