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Title |
TI |
[DE] Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von mechanischen Spannungszuständen in flächenhaften Materialien
[EN] Characterizing method for mechanical stress state in two-dimensional silicon wafer, involves determining mechanical stress by capacity change for elastic constants and geometry of substrate |
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Applicant/owner |
PA |
Technische Universität Dresden, 01069 Dresden, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Mertig, Michael, 01189 Dresden, DE
;
Pompe, Wolfgang, 01737 Kurort Hartha, DE
;
Tuckermann, Martin, 01279 Dresden, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Jan 19, 2000 |
| 21 |
Application number |
AN |
10003009 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Aug 16, 2001 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
G01B 7/16
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
G01B 7/06
G01D 3/028
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
G01B 7/22
G01D 5/2417
G01L 5/0047
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
G01B 7/16
(2006.01)
G01D 5/241
(2006.01)
G01L 5/00
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Charakterisierung mechanischer Spannungszustände in flächenhaften Materialien unter Verwendung einer kapazitiven Messanordnung, die aus einer elektrisch leitenden oder metallisierten Substratplatte und einer Grundplatte mit einer oder mehreren Elektroden besteht. Erfindungsgemäß ist die Substratplatte unter Ausschluß einer thermisch beeinflußten Änderung des Abstandes gegenüber der Grundplatte frei gelagert und weist keine temperaturabhängige Eigenkrümmung auf. Die zu untersuchende flächenhafte Probe auf der Substratplatte wird so befestigt, daß sich Eigenspannungen der Meßprobe auf die Substratplatte übertragen und zu deren Deformation führen. Die Elektroden sind so auf der Grundplatte angeordnet, daß zishcen ihnen keine Dielektrika mit temperaturabhängigen Dielektrizitätskonstanten liegen.
[EN] The capacitance change of the electrodes (4a,4b) of a baseplate (2) caused by the deformation of a substrate (1) is measured concerning the substrate. Mechanical stress is then determined by the capacity change for elastic constants and geometry of the substrate as well as the layer thickness of a sample. A capacitive measuring arrangement which includes the baseplate and the electrically conducting or metalized substrate is used to measure the capacity change of the electrodes of the baseplate. The substrate excludes a thermally influenced change of a gap with the baseplate. An independent claim is also included for a characterizing device for mechanical stress in two-dimensional material, e.g. silicon wafer. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
US000025764888A
DD000000253292A1
DE000002831938C2
DE000004231205A1
DE000019831622A1
US000002933665A
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
Das Leder, 48, 1997, S.134-141 0;
Journal of Material Science, 27, 1992, S.472-478 0
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
G01B 7/06
G01B 7/16 K
G01D 3/028 B
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