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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HOCHINTEGRIERTEN HALBLEITERANORDNUNG MIT KOMPLEMENTAERER SCHALTUNGSSTRUKTUR |
71/73 |
Applicant/owner |
PA |
DRESDEN FORSCHZENTR MIKROELEK, DD
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72 |
Inventor |
IN |
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
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22/96 |
Application date |
AD |
Mar 9, 1988 |
21 |
Application number |
AN |
31350788 |
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Country of application |
AC |
DD |
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Publication date |
PUB |
Jul 12, 1989 |
33 31 32 |
Priority data |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 21/265
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51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/30
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
H01L 21/30
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
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57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer hochintegrierten Halbleiteranordnung mit komplementaerer Schaltungsstruktur, bei dem nach Erzeugen der Transistorgates eine Phosphor-LDD-Implantation durchgefuehrt wird. Das erfindungsgemaesse Verfahren ist im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, dass nach dem auf einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfaehigkeitstyps dicke Feldoxidgebiete zur Trennung der Transistorgebiete ausgebildet, wannenfoermige Bereiche eines zweiten Leitfaehigkeitstyps im Halbleitersubstrat eingebracht, Gateoxidgebiete und Transistorgates aufgebracht wurden, eine Phosphor-LDD-Implantation ausgefuehrt wird, dass danach durch eine thermische Oxydation ein die Transistorgates umschliessender erster Schutzwall (erster Spacer) erzeugt wird, dass anschliessend eine die n-Kanal-Transistor-Gebiete bedeckende erste Lackmaske aufgebracht und eine Bor-Ionenimplantation ausgefuehrt wird, dass nachfolgend die erste Lackmaske wieder entfernt und eine LP-CVD-Siliziumdioxidschicht aufgebracht wird, dass durch eine anschliessende Ueberaetzung die LP-CVD-Siliziumschicht wieder entfernt wird, wobei an den Seitenflaechen der Transistorgates ein den zweiten Spacer bildender schutzwallfoermiger Rest verbleibt, dass im Anschluss daran eine die p-Kanal-Transistor-Gebiete bedeckende zweite Lackmaske aufgebracht und eine Arsen-Ionenimplantation durchgefuehrt wird und dass nach Entfernung der zweiten Lackmaske eine Ausheilung der Source-Drain-Gebiete durchgefuehrt wird. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/265
H01L 21/311 K
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