G	Sektion G — Physik
	G03	Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie [4]
	G03F	Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür (Lichtsetzmaschinen B41B; lichtempfindliche Materialien oder fotografische Verfahren G03C; Elektrografie, lichtempfindliche Schichten oder Verfahren dafür G03G)
	G03F 1/00	Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben [1, 3, 2006.01, 2012.01]
	G03F 1/20	.  Masken oder Maskenrohlinge zur Abbildung mittels Strahlung geladener Teilchen, z.B. mittels Elektronenstrahlung; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/22	.  Masken oder Maskenrohlinge zur Abbildung mittels Strahlung von 100 nm oder kürzerer Wellenlänge, z.B. Röntgen-Masken, EUV-Masken; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/24	. .  Reflexionsmasken; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/26	.  Phasenverschiebungsmasken (PSM); PSM-Rohlinge; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/28	. .  mit drei oder mehr unterschiedlichen Phasen auf derselben PSM; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/29	. .  Rim-PSM oder Outrigger-PSM; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/30	. .  Alternierende PSM, z.B. Levenson-Shibuya-PSM; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/32	. .  Abschwächende PSM (attenuating PSM, att PSM), z.B. PSM mit einem halbdurchlässigen Phasenverschiebungsbereich, Halbton-PSM; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/34	. .  Phasenkanten-PSM, z.B. chromlose PSM; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/36	.  Masken mit Strukturen zur Proximity Correction; Herstellung derselben, z.B. Entwurfsprozesse (Optical Proximity Correction [OPC]) [2012.01]
	G03F 1/38	.  Masken mit Hilfsstrukturen, z.B. speziellen Beschichtungen oder Ausrichtungsmarken oder Prüfmarken; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/40	. .  Besonderheiten, die auf die elektrostatische Entladung [ESD] bezogen sind, z.B. antistatische Beschichtungen oder ein elektrisch leitfähiger Metallmantel, der das Äußere des Maskensubstrates umschließt [2012.01]
	G03F 1/42	. .  Strukturen für Ausrichtung, Registrierung oder Identifizierung der Maske, z.B. Ausrichtungsmarken auf den Maskensubstraten [2012.01]
	G03F 1/44	. .  Prüfstrukturen oder Messstrukturen, z.B. Gitterstrukturen, Strukturen zur Fokusüberwachung, Sägezahnskalen oder Kerbskalen [2012.01]
	G03F 1/46	. .  Antireflexbeschichtungen [2012.01]
	G03F 1/48	. .  Schutzbeschichtungen [2012.01]
	G03F 1/50	.  Maskenrohlinge, die nicht durch die Gruppen G03F 1/20-G03F 1/26 abgedeckt werden; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/52	.  Reflektoren [2012.01]
	G03F 1/54	.  Absorber, z.B. opakes Material [2012.01]
	G03F 1/56	. .  Organische Absorber, z.B. Fotolack [2012.01]
	G03F 1/58	. .  mit zwei oder mehr verschiedenen Absorberschichten, z.B. Mehrlagenabsorber [2012.01]
	G03F 1/60	.  Substrate [2012.01]
	G03F 1/62	.  Pellikel oder Pellikelanordnungen, z.B. Anordnung eines Pellikels auf einem Stützrahmen; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/64	. .  charakterisiert durch die Rahmen, z.B. deren Struktur oder Material [2012.01]
	G03F 1/66	.  Behälter, besonders ausgebildet für Masken, Maskenrohlinge oder Pellikel; Herstellung derselben [2012.01]
	G03F 1/68	.  Herstellungsprozesse, die nicht durch die Gruppen G03F 1/20-G03F 1/50 abgedeckt sind [2012.01]
	G03F 1/70	. .  Anpassung des grundlegenden Entwurfs oder des Aufbaus der Masken an die Anforderungen des lithografischen Prozesses, z.B. Zweischrittkorrektur von Maskenmustern für Abbildungsverfahren [2012.01]
	G03F 1/72	. .  Reparatur oder Korrektur von Maskenfehlern [2012.01]
	G03F 1/74	. . .  mittels Strahlung geladener Teilchen, z.B. fokussierter Ionenstrahl [2012.01]
	G03F 1/76	. .  Erstellen von Mustern auf Masken durch Abbildungsverfahren [2012.01]
	G03F 1/78	. . .  mittels Strahlung geladener Teilchen, z.B. Elektronenstrahlung [2012.01]
	G03F 1/80	. .  Ätzen [2012.01]
	G03F 1/82	. .  Hilfsprozesse, z.B. Reinigen [2012.01]
	G03F 1/84	. . .  Überprüfen [2012.01]
	G03F 1/86	. . . .  mittels Strahlung geladener Teilchen [2012.01]
	G03F 1/88	.  hergestellt mittels fotografischer Arbeitsgänge, um Kopiervorlagen zu bilden, die ein Relief simulieren [2012.01]
	G03F 1/90	.  hergestellt durch Montageverfahren [2012.01]
	G03F 1/92	.  hergestellt ausgehend von Druckflächen [2012.01]
	G03F 3/00	Farbtrennung; Berichtigung des Farbwertes (fotografische Kopierapparate allgemein G03B) [1, 2006.01]
	G03F 3/02	.  durch Retuschieren [1, 2006.01]
	G03F 3/04	.  durch fotografische Verfahren [1, 2006.01]
	G03F 3/06	. .  durch Maskieren [1, 2006.01]
	G03F 3/08	.  durch fotoelektrische Mittel [1, 2006.01]
	G03F 3/10	.  Prüfen des Farbwertes oder Tonwertes der Auszugsnegative oder Auszugspositive [1, 2006.01]
	G03F 5/00	Rasterverfahren; Raster dafür [1, 2006.01]
	G03F 5/02	.  durch Projektion (Kameras G03B) [1, 2006.01]
	G03F 5/04	. .  durch Wechsel der Rasterwirkung [1, 2006.01]
	G03F 5/06	. .  durch Wechsel der Blendenwirkung [1, 2006.01]
	G03F 5/08	. .  durch Linienraster [1, 2006.01]
	G03F 5/10	. .  durch Kreuzlinienraster [1, 2006.01]
	G03F 5/12	. .  durch andere, z.B. Kornraster [1, 2006.01]
	G03F 5/14	.  durch Kontaktverfahren [1, 2006.01]
	G03F 5/16	. .  durch graue Halbtonraster [1, 2006.01]
	G03F 5/18	. .  durch Farb-Halbtonraster [1, 2006.01]
	G03F 5/20	.  durch Raster für Tiefdruck [1, 2006.01]
	G03F 5/22	.  durch Kombination verschiedener Raster; Beseitigung von Moire. [1, 2006.01]
	G03F 5/24	.  durch mehrfache Belichtung, z.B. Kombination von Strichraster und Linienraster [1, 2006.01]
	G03F 7/00	Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür (Fotolackstrukturen für spezielle Herstellungsverfahren siehe die entsprechenden Stellen z.B. B44C , H01L , z.B. H01L 21/00 , H05K) [1, 3, 5, 2006.01]
	G03F 7/004	.  Lichtempfindliche Materialien (G03F 7/12 , G03F 7/14 haben Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/008	. .  Azide (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/012	. . .  Makromolekulare Azide; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel [5, 2006.01]
	G03F 7/016	. .  Diazoniumsalze oder Diazoniumverbindungen (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/021	. . .  Makromolekulare Diazoniumverbindungen; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel [5, 2006.01]
	G03F 7/022	. .  Chinondiazide (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/023	. . .  Makromolekulare Chinondiazide; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel [5, 2006.01]
	G03F 7/025	. .  Nicht-makromolekulare fotopolymerisierbare Verbindungen mit Kohlenstoff-Kohlenstoff-Dreifachbindung, z.B. Acetylenverbindungen (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/027	. .  Nicht-makromolekulare fotopolymerisierbare Verbindungen mit Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung, z.B. Ethylenverbindungen (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/028	. . .  mit Zusätzen zum Erhöhen der Lichtempfindlichkeit, z.B. Fotoinitiatoren [5, 2006.01]
	G03F 7/029	. . . .  Anorganische Verbindungen; Oniumverbindungen; organische Verbindungen mit anderen Heteroatomen als Sauerstoff, Stickstoff oder Schwefel [5, 2006.01]
	G03F 7/031	. . . .  Organische Verbindungen soweit nicht von G03F 7/029 umfasst [5, 2006.01]
	G03F 7/032	. . .  mit Bindemitteln [5, 2006.01]
	G03F 7/033	. . . .  mit Polymeren als Bindemittel, erhalten durch Reaktionen, an denen nur ungesättigte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Bindungen beteiligt sind, z.B. Vinylpolymere [5, 2006.01]
	G03F 7/035	. . . .  mit Polyurethanen als Bindemittel [5, 2006.01]
	G03F 7/037	. . . .  mit Polyamiden oder Polyimiden als Bindemittel [5, 2006.01]
	G03F 7/038	. .  makromolekulare Verbindungen, die unlöslich oder unterschiedlich benetzbar gemacht werden (G03F 7/075 hat Vorrang; makromolekulare Azide G03F 7/012; makromolekulare Diazoniumverbindungen G03F 7/021) [5, 2006.01]
	G03F 7/039	. .  Makromolekulare fotodepolymerisierbare Verbindungen, z.B. positiv arbeitende elektronenempfindliche Fotolacke [Resists] (G03F 7/075 hat Vorrang; makromolekulare Chinondiazide G03F 7/023) [5, 2006.01]
	G03F 7/04	. .  Chromate (G03F 7/075 hat Vorrang) [1, 5, 2006.01]
	G03F 7/06	. .  Silbersalze (G03F 7/075 hat Vorrang) [1, 5, 2006.01]
	G03F 7/07	. . .  für Diffusionsübertragung [5, 2006.01]
	G03F 7/075	. .  Siliciumhaltige Verbindungen [5, 2006.01]
	G03F 7/085	. .  Lichtempfindliche Zusammensetzungen, gekennzeichnet durch haftungsverbessernde nicht-makromolekulare Zusätze (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/09	. .  gekennzeichnet durch Einzelheiten des Aufbaus, z.B. Schichtträger, Hilfsschichten (Schichtträger für Druckformen allgemein B41N) [5, 2006.01]
	G03F 7/095	. . .  mit mehr als einer lichtempfindlichen Schicht (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/105	. . .  mit Substanzen, z.B. Indikatoren, zum Sichtbarmachen der Strukturen [5, 2006.01]
	G03F 7/11	. . .  mit Deckschichten oder Zwischenschichten, z.B. Trennschichten [5, 2006.01]
	G03F 7/115	. . .  mit Schichtträgern oder Schichten zum Erhalt eines Rastereffektes oder zum Verbessern des Kontaktes beim Kontaktkopieren in einem Vakuumrahmen [5, 2006.01]
	G03F 7/12	.  Herstellen von Siebdruckformen oder ähnlichen Druckformen, z.B. Schablonen [1, 2006.01]
	G03F 7/14	.  Herstellen von Lichtdruckformen [1, 2006.01]
	G03F 7/16	.  Beschichtungsverfahren; Vorrichtungen dafür (Aufbringen von Beschichtungen auf Trägermaterialien allgemein B05; Aufbringen lichtempfindlicher Zusammensetzungen auf den Schichtträger für fotografische Zwecke G03C 1/74) [1, 2006.01]
	G03F 7/18	. .  Beschichten gekrümmter Oberflächen [1, 2006.01]
	G03F 7/20	.  Belichten; Vorrichtungen dafür (fotografische Kopiergeräte G03B 27/00) [1, 4, 2006.01]
	G03F 7/207	. .  Vorrichtungen zum Scharfeinstellen, z.B. selbsttätig (Kombinationen von Positionieren und Scharfeinstellen G03F 9/02; Systeme zum automatischen Erzeugen von Scharfeinstellungssignalen allgemein G02B 7/28; Vorrichtungen zum selbsttätigen Scharfeinstellen von Projektions-Kopier- Geräten G03B 27/34) [4, 2006.01]
	G03F 7/213	. .  gleichzeitiges Belichten von verschiedenen Stellen derselben Oberfläche mit demselben Lichtmuster (G03F 7/207 hat Vorrang) [4, 2006.01]
	G03F 7/22	. .  aufeinanderfolgendes Belichten von verschiedenen Stellen derselben Oberfläche mit demselben Lichtmuster (G03F 7/207 hat Vorrang) [1, 4, 2006.01]
	G03F 7/23	. . .  selbsttätige Vorrichtungen dafür [4, 2006.01]
	G03F 7/24	. .  Gekrümmte Oberflächen [1, 2006.01]
	G03F 7/26	.  Verarbeitung von lichtempfindlichen Materialien; Vorrichtungen dafür (G03F 7/12-G03F 7/24 haben Vorrang) [3, 5, 2006.01]
	G03F 7/28	. .  zur Herstellung von Pulverbildern (G03F 3/10 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G03F 7/30	. .  Bildmäßiges Entfernen mit Hilfe von Flüssigkeiten [5, 2006.01]
	G03F 7/32	. . .  Flüssigkeitszusammensetzungen dafür, z.B. Entwickler [5, 2006.01]
	G03F 7/34	. .  Bildmäßiges Entfernen durch selektive Übertragung, z.B. Abziehverfahren [5, 2006.01]
	G03F 7/36	. .  Bildmäßiges Entfernen, soweit nicht von den Gruppen G03F 7/30-G03F 7/34 umfasst, z.B. mittels eines Gasstromes, Plasmas [5, 2006.01]
	G03F 7/38	. .  Vorbehandlung vor dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Vorbacken [5, 2006.01]
	G03F 7/40	. .  Nachbehandlung nach dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Backen [5, 2006.01]
	G03F 7/42	. .  Abziehen oder Agenzien dafür [5, 2006.01]
	G03F 9/00	Registergerechtes oder sonstiges Positionieren von Kopiervorlagen, Masken, Rastern, fotografischen Folien oder strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. selbsttätig (G03F 7/22 hat Vorrang; Herstellen von Kopiervorlagen G03F 1/00; bei fotografischen Kopiergeräten zur Herstellung von Kopien G03B 27/00) [1, 4, 2006.01]
	G03F 9/02	.  kombiniert mit Mitteln zum automatischen Scharfeinstellen (automatisches Scharfeinstellen allgemein G02B 7/09; Systeme zum automatischen Erzeugen von Scharfeinstellsignalen G02B 7/28) [4, 2006.01]