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Titel |
TI |
[DE] SUBSTRAT MIT EINER KUPFER ENTHALTENDEN BESCHICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG MITTELS ATOMIC LAYER DEPOSITION
[EN] SUBSTRATE HAVING A COATING COMPRISING COPPER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF BY MEANS OF ATOMIC LAYER DEPOSITION
[FR] SUBSTRAT POURVU D'UN REVÊTEMENT CONTENANT DU CUIVRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT PAR DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
FRAUNHOFER GES FORSCHUNG, DE
;
GESSNER THOMAS, DE
;
JAKOB ALEXANDER, DE
;
LANG HEINRICH, DE
;
SCHULZ STEFAN, DE
;
UNIV CHEMNITZ TECH, DE
;
WAECHTLER THOMAS, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
GESSNER THOMAS, DE
;
JAKOB ALEXANDER, DE
;
LANG HEINRICH, DE
;
SCHULZ STEFAN, DE
;
WAECHTLER THOMAS, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
04.12.2008 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
2008002037 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
11.06.2009 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
DE
102007058571
20071205
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
C23C 16/18
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
C23C 16/40
(2006.01)
C23C 16/455
(2006.01)
H01L 21/768
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
C23C 16/18
C23C 16/408
C23C 16/45553
H01L 21/28562
H01L 21/76843
H01L 21/76873
H01L 21/76877
H01L 21/76898
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
C23C 16/18
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
C23C 16/40
(2006.01)
C23C 16/455
(2006.01)
H01L 21/768
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats mit einer Beschichtung aus Kupfer bzw. einer Kupfer enthaltenden Beschichtung mittels Atomlagenabscheidung (ALD). Hierfür wird als Kupfer-Precurso ein Fluor-freier Kupfer (I) -Komplex der Formel L2Cu (XnX) eingesetzt, bei dem L ein s-Donor-p-Akzeptor oder ein s,p- Donor-p-Akzeptor Ligand ist und bei dem XnX ein zweizähniger Ligand ist, nämlich ein ß-Diketonat, ein ß-Ketoiminat, ein ß-Diiminat, ein Amidinat, ein Carboxylat oder ein Thiocarboxylat. Eine glatte, Kupfer enthaltende ALD-Beschichtung (2) erhält man auf Tantalnitrid (3).
[EN] The invention relates to a method for producing a coated substrate having a coating made of copper or a coating comprising copper by means of atomic layer disposition (ALD). To this end, a fluorine-free copper (I) complex of the formula L2Cu (XnX) is used as a copper precursor, wherein L is a s donor/p acceptor or a s,p donor/p acceptor ligand and wherein XnX is a bidentate ligand, namely a ß-diketonate, a ß-ketoiminate, a ß-diiminate, and amidinate, a carboxylate, or a thiocarboxylate. A smooth ALD coating (2) containing copper is obtained on tantalum nitride (3).
[FR] L'invention concerne un procédé de production d'un substrat enduit pourvu d'un revêtement de cuivre ou d'un revêtement contenant du cuivre par dépôt de couches atomiques (ALD). Selon le procédé, on utilise, comme précurseur de cuivre, un complexe cuivreux exempt de fluor de formule L2Cu (XnX), dans laquelle L est un ligand s donneur/p accepteur ou un ligand s,p donneur/p accepteur et XnX est un ligand bidentate, à savoir un ß-dicétonate, un ß-cétoiminate, un ß-diiminate, un amidinate, un carboxylate ou un thiocarboxylate. Un revêtement (2) lisse contenant du cuivre et formé par ALD est obtenu sur du nitrure de tantale (3). |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US020060182884A1
WO002004036624A2
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
LI Z ET AL: "Atomic layer deposition of ultrathin copper metal films from a liquid copper(I) amidinate precursor", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 2006 ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC. US, vol. 153, no. 11, 2006, pages C787 - C794, XP002523507 7;
ROTH ET AL: "Phosphane copper(I) complexes as CVD precursors", SURFACE AND COATINGS TECHNOLOGY, ELSEVIER, AMSTERDAM, NL, vol. 201, no. 22-23, 9 August 2007 (2007-08-09), pages 9089 - 9094, XP022191939, ISSN: 0257-8972 7;
SOININEN P J ET AL: "Reduction of copper oxide film to elemental copper", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 2005 ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC. US, vol. 152, no. 2, 2005, pages G122 - G125, XP002523508 7;
WAECHTLER,T.; ROTH,N.; OSWALD,S.; SCHULZ,S.E.; LANG,H.; GESSNER,T.: "Composite films of copper and copper oxide deposited by ALD", AVS 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ATOMIC LAYER DEPOSITION - ALD 2007, vol. 7, 24 June 2007 (2007-06-24) - 27 June 2007 (2007-06-27), an Diego, California (USA), XP002523506 7
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
C23C 16/18
C23C 16/40
C23C 16/455
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