Bibliografische Daten

Dokument US020090189240A1 (Seiten: 13)

Bibliografische Daten Dokument US020090189240A1 (Seiten: 13)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [EN] SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AT LEAST ONE FIELD PLATE
71/73 Anmelder/Inhaber PA INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA, AT
72 Erfinder IN HIRLER FRANZ, DE ; MAUDER ANTON, DE ; RUEB MICHAEL, DE ; WILLMEROTH ARMIN, DE
22/96 Anmeldedatum AD 25.01.2008
21 Anmeldenummer AN 1975908
Anmeldeland AC US
Veröffentlichungsdatum PUB 30.07.2009
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 23/58 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/76 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0619
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/402
H01L 29/404
H01L 29/41766
H01L 29/47
H01L 29/7396
H01L 29/7811
H01L 2924/0002
MCD-Hauptklasse MCM H01L 23/58 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/76 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [EN] A semiconductor component with at least one field plate. One embodiment provides the field plate to make contact with the semiconductor body at a connection contact. The semiconductor body has in the region of the connection contact a doping concentration that is less than 5.1017 cm-3.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT US000005113237A
US000006486524B1
US020050077552A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/765
H01L 23/58