Bibliografische Daten

Dokument US020020182517A1 (Seiten: 15)

Bibliografische Daten Dokument US020020182517A1 (Seiten: 15)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [EN] Stencil mask for high - and ultrahigh-energy implantation
71/73 Anmelder/Inhaber PA RUEB MICHAEL
72 Erfinder IN RUEB MICHAEL, AT
22/96 Anmeldedatum AD 30.04.2002
21 Anmeldenummer AN 13547402
Anmeldeland AC US
Veröffentlichungsdatum PUB 05.12.2002
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD		 DE
10121181
20010430
51 IPC-Hauptklasse ICM G03F 9/00
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/266
Y10T 428/24273
Y10T 428/24322
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/266 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [EN] A stencil mask for high - and ultrahigh-energy implantation of semiconductor wafers has a substrate with implantation openings through which the implantation energy can be projected onto a wafer that will be implanted. The critical dimension of the implantation openings is defined in a manner dependent on the respective implantation energy.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP G03F 9/00