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Titel |
TI |
[EN] Stencil mask for high- and ultrahigh-energy implantation |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
INFINEON TECHNOPLOGIES AG, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
RUEB MICHAEL, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.04.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
13547402 |
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Anmeldeland |
AC |
US |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
29.06.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
DE
10121181
20010430
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
G03F 9/00
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/266
Y10T 428/24273
Y10T 428/24322
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/266
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[EN] A stencil mask for high- and ultrahigh-energy implantation of semiconductor wafers has a substrate with implantation openings through which the implantation energy can be projected onto a wafer that will be implanted. The critical dimension of the implantation openings is defined in a manner dependent on the respective implantation energy. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US000005512498A
US000005972794A
US000006110331A
US000006214498B1
US000006300017B1
US000006468701B1
US020010046646A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
US000006187481B1
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G03F 9/00
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