Bibliografische Daten

Dokument KR102001075354A (Seiten: 52)

Bibliografische Daten Dokument KR102001075354A (Seiten: 52)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
71/73 Anmelder/Inhaber PA INFINEON TECHNOLOGIES AG
72 Erfinder IN DEBOY GERALD ; STRACK HELMUT ; HAEBERLEN OLIVER ; RUEB MICHAEL ; FRIZA WOLFGANG
22/96 Anmeldedatum AD 24.03.2001
21 Anmeldenummer AN 20017003803
Anmeldeland AC KR
Veröffentlichungsdatum PUB 09.08.2001
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
19843959
24.09.1998
33
31
32
PRC
PRN
PRD
DE
9903081
24.09.1999
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/78 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/26586
H01L 29/0619
H01L 29/0623
H01L 29/0634
H01L 29/0649
H01L 29/0653
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/78
H01L 29/7802
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
H01L 29/10 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 21/265 (2006.01)
57 Zusammenfassung AB [EN] The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising semiconductor areas (4, 5) of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body and in said semiconductor body (1) extend at least from one first zone (6) to near a second zone (1) and by way of variable dopage from trenches (11, 14) and their fillings generate an electric field which increases from both said zones (6, 1). © KIPO & WIPO 2007
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP