Bibliografische Daten

Dokument EP000001213766A3 (Seiten: 3)

Bibliografische Daten Dokument EP000001213766A3 (Seiten: 3)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren
[EN] High breakdown voltage semiconductor device and process for fabricating the same
[FR] Dispositif semi-conducteur à tension de claquage élevée et procédé pour sa fabrication
71/73 Anmelder/Inhaber PA INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE
72 Erfinder IN AHLERS DIRK DR, DE ; DEBOY GERALD DR, DE ; MARION MIGUEL CUADRON, DE ; RUEB MICHAEL DR, AT ; STENGL JENS-PEER, DE ; WEBER HANS DR, DE ; WILLMEROTH ARMIN, DE
22/96 Anmeldedatum AD 14.11.2001
21 Anmeldenummer AN 01127071
Anmeldeland AC EP
Veröffentlichungsdatum PUB 06.12.2006
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
10061310
20001208
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/06 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0619
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/7802
H01L 29/7811
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 29/10 (2006.01)
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010106006A1
DE000019954352A1
DE000019958234A1
WO002000014807A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP STENGL R ET AL: "VARIATION OF LATERAL DOPING - A NEW CONCEPT TO AVOID HIGH VOLTAGE BREAKDOWN OF PLANAR JUNCTIONS", INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING. WASHINGTON, DEC. 1 - 4, 1985, WASHINGTON, IEEE, US, 1 December 1985 (1985-12-01), pages 154 - 157, XP002013050 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336 V
H01L 29/06 E
H01L 29/78