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Titel |
TI |
[DE] Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren
[EN] High breakdown voltage semiconductor device and process for fabricating the same
[FR] Dispositif semi-conducteur à tension de claquage élevée et procédé pour sa fabrication |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
AHLERS DIRK DR, DE
;
DEBOY GERALD DR, DE
;
MARION MIGUEL CUADRON, DE
;
RUEB MICHAEL DR, AT
;
STENGL JENS-PEER, DE
;
WEBER HANS DR, DE
;
WILLMEROTH ARMIN, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
14.11.2001 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
01127071 |
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Anmeldeland |
AC |
EP |
|
Veröffentlichungsdatum |
PUB |
06.12.2006 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
DE
10061310
20001208
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0619
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/7802
H01L 29/7811
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
H01L 29/10
(2006.01)
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010106006A1
DE000019954352A1
DE000019958234A1
WO002000014807A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
STENGL R ET AL: "VARIATION OF LATERAL DOPING - A NEW CONCEPT TO AVOID HIGH VOLTAGE BREAKDOWN OF PLANAR JUNCTIONS", INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING. WASHINGTON, DEC. 1 - 4, 1985, WASHINGTON, IEEE, US, 1 December 1985 (1985-12-01), pages 154 - 157, XP002013050 0
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/336 V
H01L 29/06 E
H01L 29/78
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