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Bibliografische Daten

Dokument DE102008056574A1 (Seiten: 37)

Bibliografische Daten Dokument DE102008056574A1 (Seiten: 37)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72 Erfinder IN Kaindl, Winfried, Dr. rer. nat., 82008 Unterhaching, DE ; Rüb, Michael, Dr. rer. nat., Faak am See, AT ; Tolksdorf, Carolin, Dr.-Ing., 85643 Steinhöring, DE ; Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 10.11.2008
21 Anmeldenummer AN 102008056574
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 25.06.2009
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
US
96305707
20071221
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/78 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 21/78 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
H01L 29/739 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H10D 12/461
H10D 30/66
H10D 62/111
H10D 62/116
H10D 62/127
H10D 62/148
H10D 62/393
H10D 64/256
H10D 64/516
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 21/78 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
H01L 29/739 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper auf, der auf einander gegenüberliegenden Oberflächen eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist. Eine Steuerelektrode auf einer Isolationsschicht steuert Kanalbereiche von Bodyzonen in dem Halbleiterkörper für einen Stromfluss zwischen den beiden Elektroden. Eine Driftstrecke, die sich an die Kanalbereiche anschließt, weist Driftzonen sowie Ladungskompensationszonen auf. Ein Teil der Ladungskompensationszonen sind leitend angeschlossene Ladungskompensationszonen, die mit der ersten Elektrode elektrisch in Verbindung stehen. Ein anderer Teil sind nahezu floatende Ladungskompensationszonen, so dass eine vergrößerte Steuerelektrodenfläche eine monolithisch integrierte Zusatzkapazität CZGD in einem Zellenbereich des Halbleiterbauelements aufweist.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT US000006633064B2
US000006803609B1
US020040056284A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/417
H01L 29/739
H01L 29/78