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Titel |
TI |
[DE] Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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72 |
Erfinder |
IN |
Kaindl, Winfried, Dr. rer. nat., 82008 Unterhaching, DE
;
Rüb, Michael, Dr. rer. nat., Faak am See, AT
;
Tolksdorf, Carolin, Dr.-Ing., 85643 Steinhöring, DE
;
Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
10.11.2008 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
102008056574 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
25.06.2009 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
US
96305707
20071221
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 21/78
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/0653
H01L 29/0696
H01L 29/0839
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/42368
H01L 29/7396
H01L 29/7802
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 21/78
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper auf, der auf einander gegenüberliegenden Oberflächen eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist. Eine Steuerelektrode auf einer Isolationsschicht steuert Kanalbereiche von Bodyzonen in dem Halbleiterkörper für einen Stromfluss zwischen den beiden Elektroden. Eine Driftstrecke, die sich an die Kanalbereiche anschließt, weist Driftzonen sowie Ladungskompensationszonen auf. Ein Teil der Ladungskompensationszonen sind leitend angeschlossene Ladungskompensationszonen, die mit der ersten Elektrode elektrisch in Verbindung stehen. Ein anderer Teil sind nahezu floatende Ladungskompensationszonen, so dass eine vergrößerte Steuerelektrodenfläche eine monolithisch integrierte Zusatzkapazität CZGD in einem Zellenbereich des Halbleiterbauelements aufweist. |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
US000006633064B2 US000006803609B1 US020040056284A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/417
H01L 29/739
H01L 29/78
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