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Bibliografische Daten

Dokument DE102007056138A1 (Seiten: 16)

Bibliografische Daten Dokument DE102007056138A1 (Seiten: 16)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Mikrowellen-Plasmaquelle, Anordnung von Mikrowellen-Plasmaquellen, Anlage zur plasmatechnologischen Bearbeitung von Substraten, Verfahren zur Beschichtung von Substraten mit einer Mikrowellen-Plasmaquelle sowie Verwendung von Mikrowellen-Plasmaquellen
[EN] Inductively coupled micro-wave plasma cell e.g. film system, has vacuum chamber formed at end of hollow chamber, where pressure of preset value lies on side of vacuum chamber such that plasma extends from hollow chamber to vacuum chamber
71/73 Anmelder/Inhaber PA SENTECH Instruments GmbH, 12489 Berlin, DE
72 Erfinder IN Arens, Michael, Dr., 12103 Berlin, DE ; Gesche, Roland, Dr., 63500 Seligenstadt, DE ; Kühn, Silvio, 16321 Bernau, DE ; Wandel, Klaus, Prof. Dr., 13187 Berlin, DE
22/96 Anmeldedatum AD 20.11.2007
21 Anmeldenummer AN 102007056138
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 29.05.2008
33
31
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Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102006055574
20061121
51 IPC-Hauptklasse ICM H05H 1/46 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H05H 1/30 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01J 37/32192
H01J 37/32229
H05H 1/46
MCD-Hauptklasse MCM H05H 1/46 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H05H 1/30 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft eine Mikrowellen-Plasmaquelle, eine Anordnung von Mikrowellen-Plasmaquellen, eine Anlage zur plasmatechnologischen Bearbeitung von Substraten, ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mit einer Mikrowellen-Plasmaquelle sowie eine Verwendung von Mikrowellen-Plasmaquellen. Die erfindungsgemäße Mikrowellen-Plasmaquelle (1) umfasst: - einen Wellenleiter (2), - einen Mikrowellenoszillator (12) zur Erzeugung von Mikrowellen, verbunden mit dem Wellenleiter (2) zur Einkopplung der Mikrowellen in den Wellenleiter (2), - einen Hohlraum (5) ausgebildet als Durchgangsloch durch den Wellenleiter (2) senkrecht zur Ausbildungsrichtung des Wellenleiters (2), - eine Gaszufuhr (7), die mit einem ersten Ende des Hohlraumes (5) verbunden ist, - eine Vakuumkammer (9), die am anderen zweiten Ende des Hohlraumes (5) ausgebildet ist, wobei der Wellenleiter (2) derart ausgebildet ist,ch im Bereich des Hohlraumes (5) realisiert wird, und zwischen dem einen ersten Ende des Hohlraumes (5) auf der Seite der Gaszufuhr (7) und dem anderen zweiten Ende des Hohlraumes (5) auf der Seite der Vakuumkammer (9) eine Druckdifferenz ausgebildet ist, wobei auf der Seite der Vakuumkammer (9) ein Druck von kleiner gleich 100 mbar anliegt, derart, dass sich das Plasma aus dem Hohlraum (5) in die Vakuumkammer (9) ausbreitet.
[EN] The cell (1) has a microwave oscillator for producing microwaves and connected with a waveguide (2) for coupling the microwaves into the waveguide, and base layer made of metal. A hollow chamber (5) is designed as a throughhole, and a gas supply (7) is connected with an end of the hollow chamber. A vacuum chamber (9) is formed at another end of the hollow chamber, and a pressure differences are formed between the ends, where the pressure of small 100 millibar lies on a side of the vacuum chamber in such a manner that a plasma extends from the hollow chamber to the vacuum chamber. Independent claims are also included for the following: (1) a system for plasma-technological processing of substrates (2) a method for coating of substrates.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000002632194A1
DE000019722624A1
DE000019851628A1
DE000019856307C1
DE000019943953A1
DE102005002142A1
US000006362449B1
US020020020691A1
US020060021581A1
US020060027539A1
WO002000060910A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H05H 1/30
H05H 1/46 MW